Текст книги "Интегральная Фотоника"

Условия работы: В некоторых случаях технологическое PDK может указывать условия работы фотонной микросхемы, например допустимый диапазон рабочего напряжения или частоту переключения.

Этот раздел PDK является основой для разработчиков при создании фотонных микросхем и позволяет им соблюдать определенные стандарты и требования при проектировании и изготовлении устройств на основе фотонных транзисторов.

Базисные модели PDK предоставляет базисные модели для описания электрического поведения элементов фотонной микросхемы. Эти модели позволяют проводить симуляции работы устройств на основе данных об электромагнитном поле и зарядно-транспортном поведении.Они определяют основные характеристики материалов, структур и компонентов, используемых в фотонной интегральной схеме.

В базисных моделях PDK обычно содержатся следующие элементы:

Модели компонентов: Базисные модели описывают поведение каждого компонента в фотонной микросхеме, таких как волоконно-оптические связи, резоныаторы или каналы передачи света. Эти модели определяют электрическую и оптическую характеристику каждого компонента.

Параметры материала: Базисная модель PDK содержит информацию о свойствах используемых материалов – показатель преломления, коэффициент распределения потерь по длине волны и другие параметры.

Технологические правила: В базисном PDK указывается набор технологических правил для разработки фотонных микросхем. Это может быть минимальная ширина полоски, минимальное расстояние между компонентами и другие правила, обеспечивающие корректную работу устройства.

Базовые элементы: PDK содержит базовые элементы, такие как волоконные разъемы, гнезда для светоизлучателей и фотодетекторы. Эти элементы являются основой для создания более сложных структур на фотонной микросхеме.

Базисные модели PDK предоставляют инженерам-разработчикам необходимые инструменты для проектирования и оптимизации фотонных микросхем. Они позволяют смоделировать поведение устройств перед изготовлением реального прототипа, что помогает сэкономить время и ресурсы при разработке новых продуктов в области фотоники.

Символьная библиотека PDK включает символьную библиотеку, которая содержит графическое представление элементов фотонной микросхемы. Это позволяет разработчикам создавать схематические исходники и проводить верификацию функциональности устройства.

Она обычно включает в себя следующие элементы:

Символы: представляют каждый отдельный компонент или устройство на оптической микросхеме. Это может быть фотодетектор, фоторезистор, светодиод или другие оптические элементы. Символы обычно имеют графическое представление со специфическими символами и контактными площадками для подключения к другим компонентам.

Модели компонентов: Каждый символ в символьной библиотеке также имеет ассоциированную модель компонента, которая описывает его электрические и оптические характеристики. Модели могут быть созданы на основании экспериментальных данных или расчетов с использованием специализированных программ для моделирования физических процессов.

Параметры: В символьной библиотеке PDK также могут быть указаны параметры каждого компонента, такие как размеры, материалы и другие характеристики. Эти параметры необходимы для правильного размещения и связывания символов в схеме.

Символьная библиотека PDK облегчает процесс разработки оптических интегральных схем, предоставляя готовые символы и модели компонентов, которые можно использовать при создании собственных схем. Она позволяет инженерам быстро прототипировать и анализировать оптические системы на уровне дизайна перед фабрикацией реальной микросхемы.

Инструменты проектирования

PDK также может включать интегрированные инструменты для разработки фотонных микросхем, такие как программное обеспечение для моделирования электромагнитного поля или симуляции работы устройств.

Ниже приведены основные инструменты проектирования PDK для фотонных микросхем:

Моделирование среды: Эти инструменты позволяют создавать виртуальную среду для моделирования поведения света в материале на основе эффекта фотопроводимости. Они обеспечивают возможность оценивать характеристики передачи света через различные слои материала и оценивать потери.

Разработка линз: Для управления распространением световых лучей используются специализированные программы по разработке линз. Они позволяют оптимизировать форму и параметры линз для достижения требуемых результатов при переносе или изменении направления светового потока.

Моделирование электрических характеристик: Эти инструменты позволяют моделировать и анализировать электрические характеристики компонентов фотонных микросхем, таких как транзисторы или волоконные связи. Они помогают определить производительность устройства и его эффективность.

Верификация дизайна: Инструменты верификации используются для проверки правильности разработанного дизайна фотонной микросхемы с целью обнаружения ошибок или несоответствий требованиям проекта. Они проводят различные виды анализов, включая статическую и динамическую проверку соответствия правилам проектирования.

Симуляция светопропускания: Данные инструменты позволяют имитировать передачу света через фотонную микросхему с учетом всех параметров материалов и компонентов устройства. Это помогает предсказывать поведение системы при различных условиях эксплуатации и оптимизировать ее работоспособность.

Разработка лэйаута: Эти инструменты предоставляют средства для создания физического размещения компонентов на поверхности микросхемы. Они позволяют оптимизировать расположение и соединение элементов, чтобы минимизировать потери света и улучшить эффективность работы.

Интеграция с другими инструментами: PDK-системы также обеспечивают возможность интеграции с другими инструментами проектирования, например, программными пакетами для моделирования электрических цепей или виртуального прототипирования.

Использование всех этих инструментов проектирования PDK помогает разработчикам создавать фотонные микросхемы с высокой производительностью, точностью и надежностью. Они ускоряют процесс разработки и оптимизации устройств фотонной технологии, что является ключевым аспектом успеха в данной отрасли.

Далее опишем типовые элементы фотонной микросхемы и принципы их функционирования.

Фотонные микросхемы

интегральные схемы, основанные на использовании фотонных транзисторов и других оптических компонентов для передачи и обработки информации в виде света. Они представляют собой перспективную технологию, которая может быть использована для создания высокоскоростных и энергоэффективных оптических систем.

Основными принципами построения фотонных микросхем являются:

Интеграция фотонных транзисторов: Фотонные транзисторы играют ключевую роль в фотонной микроэлектронике. Они используются для управления потоком света через материал на основе эффекта фотопроводимости. Важно достичь наномасштабного размера активной области и обеспечить низкое потребление энергии.

Добавление оптических путей: Функциональность фотонной микросхемы может быть расширена путем добавления различных оптических элементов, таких как волноводы, сплиттеры, модуляторы и детекторы света. Это позволяет управлять и обрабатывать световой сигнал на различных этапах.

Интеграция электроники: Фотонные микросхемы часто содержат не только оптические компоненты, но и электронные элементы для контроля работы фотонных транзисторов. Это может включать усилители, резисторы, конденсаторы и другие компоненты, которые позволяют регулировать поток света.

Управление сигналами: Для обработки информации на фотонной микросхеме требуется разработка архитектуры управления сигналами. Это включает в себя создание логической системы для передачи данных через оптический интерфейс и принятие соответствующих действий на основе полученной информации.

Оптимизация производства: Построение фотонных микросхем также требует определенного подхода к проектированию и производству. Нанолитография и другие методы изготовления используются для создания наномасштабных структур и интегрированных цепей.

Фотонная микросхемы обычно состоят из нескольких слоев материалов с различными оптическими и электрическими свойствами.

Основные компоненты фотонной микросхемы включают:

Волноводы: Это тонкие слои материала, которые направляют свет по заданному пути на чипе. Волновод может быть выполнен из полупроводникового материала или других оптических материалов с высокой пропускной способностью для света.

Фоторезисторы: Это элементы, которые регистрируют интенсивность света и преобразуют его в электрический сигнал. Фоторезистор состоит из полупроводникового материала, который меняет свое сопротивление под действием освещения.

Фотодетекторы: Элементы, способные обнаруживать фотоны и генерировать соответствующий электрический сигнал. Фотодетектор может быть выполнен на основе полупроводниковых материалов, таких как кремний или индий-арсенид.

Оптические модуляторы: Элементы, которые изменяют свойства света под действием электрического сигнала. Они используются для переключения и модуляции интенсивности света на фотонной микросхеме.

Интерфейсы: Фотонные микросхемы часто имеют электронные интерфейсы для взаимодействия с другими устройствами или системами, такие как электроника управления и коммуникационные порты.

Фотонные микросхемы представляют огромный потенциал для различных приложений в оптической коммуникации, информационных системах и других областях. Их основные принципы построения позволяют создавать компактные, быстрые и энергоэффективные устройства для передачи и обработки световых сигналов.

Ряд конструктивных требований к фотонным микросхема, в обеспечение эффективной работы и надежности.

Интегрированная оптика: Фотонные микросхемы должны быть спроектированы с интегрированной оптикой, то есть они должны содержать встроенные волноводы или другие структуры для направления света по нужному пути. Это позволяет минимизировать потери света и повысить эффективность работы устройства.

Миниатюрность: Фотонные микросхемы должны быть компактными и миниатюрными, чтобы удобно помещаться на чипе или другом носителе. Это особенно важно при разработке интегрированных оптических систем, где необходимо объединение большого количества функциональных элементов на небольшой площади.

Высокая точность изготовления: Поскольку фотонные микросхемы работают на очень высоких частотах и требуют точности до долей длины волны света, их изготовление должно быть очень точным. Это включает использование передовых технологий нанофабрикации для создания микронных структур и поверхностей с высокой резкостью.

Материалы с высоким коэффициентом преломления: Для эффективной работы фотонных микросхем необходимы материалы с высоким коэффициентом преломления. Выбор таких материалов позволяет достичь более эффективного направления света, уменьшить потерю света и повысить скорость передачи данных.

Управляемость: Фотонные микросхемы должны иметь возможность контроля параметров света, таких как интенсивность или длина волны. Для этого требуется наличие специальных элементов управления, таких как пьезоэлектрические актуаторы или электродинамические модуляторы для изменения характеристик света.

Надежность: Из-за сложности конструкции и особенностей работы фотонных микросхем, особое внимание следует обращать на надежность устройства. Они должны быть спроектированы и изготовлены с учетом возможных факторов, таких как тепловые расширения, вибрации или электростатические разряды.

Совместимость с другими элементами: Фотонные микросхемы должны быть совместимы с другими компонентами оптической системы, такими как светоисточники, детекторы и волоконные соединения. Это позволяет создавать сложные оптические системы с высокой производительностью.

Рассмотрим типовые блоки фотонных микросхем – основные строительные единицы, которые используются для создания сложных оптических систем. Каждый блок выполняет определенную функцию и играет важную роль в обеспечении эффективной передачи светового сигнала.

Оптический транзистор

устройство, которое позволяет контролировать пропускание света через оптический канал с помощью внешнего электрического сигнала. Конструкция оптического транзистора обычно состоит из трех основных компонентов: источника света, фоточувствительного элемента и регулирующего элемента.

Источник света может быть представлен лазером или светодиодом, который генерирует оптический сигнал для передачи данных или информации.

Фоточувствительный элемент – фотоприемник, который преобразует падающий на него световой сигнал в соответствующий электрический сигнал. Он состоит из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий, которые способны генерировать электричество при воздействии на них фотонов.

Регулирующий элемент является ключевым компонентом оптического транзистора и позволяет управлять прохождением светового потока. Этим регулирующим элементом может служить полупроводниковый переключатель или модулятор, который изменяет оптические свойства материала под воздействием электрического сигнала. Например, это может быть полупроводниковая структура с эффектом Эйнштейна-Парселла (ЭП), когда приложение электрического поля меняет показатель преломления и/или поглощение света.

Вместе эти компоненты образуют конструкцию оптического транзистора, который способен контролировать прохождение световых сигналов в зависимости от внешнего электрического сигнала. Такие устройства широко используются в фотонике и оптической коммуникации для управления световыми потоками и реализации функций аналогичных традиционным электронным транзисторам.

Оптический транзистор без использования электричества – это устройство, которое позволяет контролировать пропускание света через оптический канал с помощью других физических явлений. Вместо использования электрического сигнала для регулирования прохождения световых сигналов, такой транзистор может основываться на оптическом или механическом воздействии.

Например, одним из возможных устройств является оптический переключатель на основе эффекта Фарадея-Керра. В этом случае используется материал со свойствами изменения показателя преломления под воздействием магнитного поля. Различные компоненты такого устройства включают источник света, модулятор (обычно состоящий из материала с высоким коэффициентом Керра), и детектор для обнаружения проходящего светового потока.

Подачей магнитного поля к модулятору достигается изменение его показателя преломления. Это создает разницу в скорости распространения светодневной замедленной группы (group velocity) и, следовательно, изменяет фазу света. Устройство может использовать интерференцию для контроля прохождения оптического сигнала через модулятор.

Таким образом, в отсутствие электричества устройства на основе эффекта Фарадея-Керра позволяют регулировать пропускание световых сигналов посредством магнитного поля. Это предоставляет альтернативный подход к созданию оптических транзисторов без необходимости использования электрических сигналов для управления светом.

Оптический транзистор позволяет управлять прохождением света через оптический канал с использованием различных физических явлений. Существует несколько типов оптических транзисторов, включая следующие:

• Фотонный транзистор: Этот тип транзистора основан на эффекте фотопроводимости и используется для контроля пропускания света через материал. Он состоит из полупроводникового материала с двумя p-n переходами. При поглощении фотона в активном области создается пара электрон-дырка, что меняет проводимость материала и регулирует прохождение света.

• Акустооптический транзистор: В этом случае изменение интенсивности светового потока достигается за счет модуляции показателя преломления под действием акустической волны. Устройство состоит из кристалла или волновода, где акустическая волна создает периодическую модуляцию показателя преломления, что изменяет характер распределения светодневной замедленной группы и, следовательно, управляет пропусканием светового сигнала.

• Фотонный транзистор на основе плазмона: Это новое направление в оптических транзисторах, которое использует возбуждение поверхностных плазмон-поляритонов для контроля прохождения света через металлические структуры. Использование эффекта плазмона позволяет достичь высокой скорости работы и низкого энергопотребления.

• Оптический транзистор на основе квантовых точек: Квантовые точки – это наноструктуры полупроводниковых материалов с размерами порядка нескольких нанометров. В таких устройствах изменение интенсивности или длины волны светодневного потока может быть регулируемо с помощью избирательного перекрытия квантовых состояний или изменения энергии перехода между состояниями.

Это лишь несколько примеров различных типов оптических транзисторов, которые используются для контроля и модуляции прохождения света через оптические каналы. Каждый тип имеет свои уникальные принципы работы и характеристики, что позволяет широкий спектр возможностей в области фотоники.

Фотонный транзистор

устройство в фотонике, которое используется для контроля пропускания света через материал на основе эффекта фотопроводимости. Он состоит из полупроводникового материала с двумя p-n переходами.

Основными компонентами фотонного транзистора являются:

Активная область: Это область полупроводника между двумя p-n переходами, где происходит поглощение света и создание пары электрона-дырки под действием фотона. Размер активной области может быть наномасштабным или микроскопическим.

Предельные контакты: Фотонный транзистор имеет контакты к активной области, которые позволяют подключить его к внешней цепи источника питания или другому устройству.

Базовый слой: Это слой полупроводника между активной областью и предельными контактами, который регулирует поток носителей заряда посредством изменения проводимости материала при определенных условиях.

Работа фотонного транзистора основана на эффекте фотопроводимости. Когда свет падает на активную область, энергия фотонов возбуждает электроны из валентной зоны в зону проводимости, создавая пары электрон-дырка. При этом увеличивается проводимость материала и происходит пропускание света через транзистор.

Ключевой особенностью фотонного транзистора является возможность контроля пропускания света с помощью изменения напряжения или тока в базовом слое. Путем изменения условий работы можно регулировать количество носителей заряда и, следовательно, управлять интенсивностью прохождения света через устройство.

Фотонные транзисторы широко используются в оптических коммуникационных системах для модуляции сигналов высокой скорости и переключения между различными состояниями (полупроводниковый лазер – открыто/закрыто). Они также имеют потенциал для использования в оптических компьютерных системах и других приложениях фотоники.

Акустооптический транзистор

это устройство, которое использует акустическую волну для модуляции пропускания светового сигнала через оптический канал. Оно основывается на явлении, известном как акустооптический эффект.

Устройство состоит из кристаллического материала или волновода, который обладает свойством изменять показатель преломления при прохождении через него акустической волны. Обычно таким материалом является полупроводник или диэлектрик.

Принцип работы акустооптического транзистора заключается в следующем:

Генерация и распространение активной акустической волны: В устройстве создается механическая колебательная энергия, которая генерирует активную акустическую волну. Эта волна распространяется сквозь оптический материал и вызывает периодические изменения его показателя преломления.

Формирование градиента показателя преломления: Амплитуда и частота активной акустической волны определяют градиент показателя преломления вдоль оптического канала. Этот градиент создает периодические изменения светодневной замедленной группы, что приводит к модуляции фазы и амплитуды проходящего света.

Модуляция светового сигнала: Проходя через активный оптический материал, световой сигнал подвергается интерференции из-за изменений показателя преломления. С помощью правильно выбранного дизайна и параметров устройства можно достичь контролированной модуляции интенсивности или фазы проходящего света.

Таким образом, акустооптический транзистор позволяет регулировать прохождение света через оптический канал за счет создания и управления акустической волной. Это делает его полезным для широкого спектра приложений, таких как коммутация оптических сигналов, модуляция интенсивности или фазы лазерных лучей и других задач в области фотоники.

Фотонный транзистор на основе плазмона

устройство, которое использует возбуждение поверхностных плазмон-поляритонов для контроля и модуляции прохождения света через металлические структуры. Поверхностные плазмоны – это коллективные колебания электронной плотности на границе раздела между диэлектриком и металлом.

Устройство фотонного транзистора на основе плазмона состоит из следующих элементов:

Металлическая структура: Обычно в качестве материала выбираются такие металлы, как золото или серебро, которые обладают высокой способностью возбудить поверхностные плазмоны при воздействии светодневного излучения.

Диэлектрический слой: Он располагается над металлической структурой и предназначен для подавления потерь энергии от поверхностных поглощений в металлах. Диэлектрический слой может быть выполнен из различных материалов с определенными оптическими характеристиками.

Внешнее электрическое поле: Для управления прохождением света через фотонный транзистор на основе плазмона применяется внешнее электрическое поле. Это поле может быть создано с помощью простых электродов или других устройств для генерации и управления напряжением.

Работа фотонного транзистора на основе плазмона состоит из следующих этапов:

Возбуждение поверхностных плазмон-поляритонов: Под действием светодневного излучения возникают колебания электронной плотности, которые распространяются по металлической структуре в виде поверхностных поглощений – это и есть поверхностные плазмоны.

Контроль интенсивности света: Используя внешний эффект, такой как изменение напряжения или поля, можно контролировать интенсивность светового потока, который переключается между двумя состояниями "включено" и "выключено". Это достигается изменением характеристик поверхностных плазмон-поляритонов.

Преобразование света в электрический сигнал: Поскольку фотонный транзистор на основе плазмона работает с оптическими сигналами, для преобразования света в электрический сигнал используется фотоприемник или другое устройство, которое может регистрировать изменения интенсивности света и преобразовывать его в соответствующий электрический выходной сигнал.

Фотонные транзисторы на основе плазмона обладают потенциалом для разработки новых компактных и быстрых оптических устройств, таких как модуляторы света и коммутаторы. Они могут быть использованы в области информационных технологий, оптоэлектроники и других приложений требующих контроля прохождения светодневного изображения через металлическую структуру.

Оптический транзистор на основе квантовых точек

устройство, которое использует эффекты квантовой конфинированности в наноструктурах полупроводниковых материалов для контроля прохождения света через оптический канал. Оно состоит из трех основных компонентов: активного слоя с квантовыми точками, источника возбуждающего света и фотоприемника.

Активный слой содержит массив наноструктур, известных как квантовые точки. Каждая такая точка представляет собой небольшую область полупроводникового материала, размеры которой составляют несколько нм. За счет этого ограничения размера возникают эффекты квантовой конфинировности, приводящие к появлению дискретных энергетических уровней в спектре заряженных частиц (электронов или дырок) внутри каждой квантовой точки.

Источником возбуждающего света может быть лазер или другое подходящее оптическое устройство. Это светлое излучение направляется на активный слой, где его энергия поглощается квантовыми точками. В результате происходит возбуждение электронов из нижних энергетических уровней в более высокие. Это изменение заряда в квантовых точках приводит к изменению оптических свойств материала.

Фотоприемник – это компонент, который обнаруживает и регистрирует изменения интенсивности или длины волны света, прошедшего через активный слой с возбуждающим светом. Он может быть выполнен на основе полупроводникового материала или других фоточувствительных элементов и представлять собой приемник фотоэлектрического сигнала.

Путем управления параметрами возбуждающего света (интенсивностью, частотой и т. д.) можно контролировать количество зарядов, переходящих между различными состояниями в квантовых точках. Это позволяет регулировать передачу света через оптический транзистор на основе квантовых точек.

Оптические транзисторы на основе квантовых точек обладают рядом преимуществ, таких как высокая скорость работы, низкое энергопотребление и возможность интеграции с другими оптическими компонентами. Они находят широкое применение в различных областях, включая фотонику, оптоэлектронику и квантовые вычисления.

Фотонная ячейка памяти

устройство, которое использует принцип фотопроводимости для хранения и чтения информации. Она состоит из активной области с двумя p-n переходами и базовым слоем.

Принцип работы фотонной ячейки памяти основан на изменении проводимости материала под воздействием света. Когда свет падает на активную область, энергия фотона возбуждает электроны из валентной зоны в зону проводимости, создавая пары электрон-дырка. При этом происходит увеличение проводимости материала.

Для записи информации в фотонную ячейку памяти применяется метод модуляции интенсивности света. Записываемый бит представляется как изменение интенсивности света (вкл/выкл). Последовательность битов может быть закодирована различными способами, например, использованием определенных длин волн или интенсивностей света для представления "0" или "1".

Чтение информации из фотонной ячейки памяти осуществляется по-разному в зависимости от конкретного реализации устройства. Одним из распространенных методов является использование фотодетектора для измерения изменения интенсивности света после прохождения через активную область. Это позволяет определить, был ли бит записан как "0" или "1".

Фотонные ячейки памяти имеют преимущества перед традиционными электрическими ячейками памяти, такие как высокая скорость работы и возможность хранить большое количество информации на небольшой площади. Они могут быть использованы в оптических компьютерных системах и других приложениях, где требуется высокая производительность и емкость хранения данных.

Существует несколько типов фотонных ячеек памяти, предназначенных для хранения информации в виде фотонного сигнала. Вот некоторые из них:

• Фотонно-электрические (PE) ячейки: Эти ячейки используются для преобразования фотонной энергии в электрическую и обратно. Они состоят из полупроводникового материала с p-n переходом, который может амплифицировать и усилить фотоны при прохождении через него.

• Фоторезисторные (PR) ячейки: В таких ячейках изменение освещенности вызывает изменение проводимости материала. Путем регулирования освещенности можно создавать различные уровни проводимости, что позволяет кодировать информацию.

• Фоторезистивные (LR) ячейки: Эти ячейки работают на основе эффекта изменения сопротивления светочувствительного материала под действием света. Изменение сопротивления может быть использовано для записи и чтения данных.

• Оптоэлектронные межслойные (OLET) ячейки: OLET-структуры объединяют органические полупроводниковые слои с металлическими электродами для создания оптоэлектронных устройств. Эти ячейки предлагают преимущества, такие как низкая стоимость производства и гибкость.

• Фотонные кристаллические (PC) ячейки: Они используют фотонные кристаллы, которые способны запирать или пропускать свет в зависимости от условий работы. Изменение условий позволяет записывать и считывать данные.

Каждый из этих типов фотонных ячеек памяти имеет свои особенности и применения в различных областях, таких как оптическая хранение данных, коммуникационные системы высокой скорости и другие приложения фотонной технологии.

Фотонно-электрические (PE) ячейки

устройства, которые преобразуют световую энергию в электрическую энергию с использованием фотоэффекта. Они состоят из нескольких ключевых компонентов:

• Активный слой: Это слой материала, который поглощает свет и генерирует пары электрона-дырка при воздействии фотона на него. Активный слой обычно состоит из полупроводникового материала с определенной шириной запрещенной зоны, что позволяет ему поглощать свет определенного диапазона длин волн.

• Предельные контакты: Фотонно-электрическая ячейка имеет контакты к активному слою, которые используются для подключения ее к внешней цепи или другим устройствам. Контакты также выполняют функцию сбора и направления получаемого от активного слоя тока.

• Барьерные слои: Вокруг активного слоя могут быть добавлены барьерные слои для повышения эффективности перехвата фотонов и предотвращения потери генерированных электронов и дырок. Барьерные слои могут быть сделаны из различных материалов, таких как полупроводники или диэлектрики.

• Антиотражающее покрытие: На поверхности фотонно-электрической ячейки может быть нанесено антиотражающее покрытие для уменьшения отражения света и повышения пропускания светового потока через активный слой.

• Обратная структура pn-перехода: Фотонно-электрическая ячейка обычно имеет pn-переходную структуру или другую обратную структуру, которая помогает создать напряжение или электрическое поле в активном слое для разделения и сбора генерированных электронов и дырок.

• Задействующие элементы: Для использования выработанного тока фотонно-электрической ячейки интегрируются соединительные провода, контакты и другие компоненты, чтобы подключить её к внешним устройствам или системам.

Функциональность фотонно-электрической ячейки основана на фотоэффекте, который приводит к высвобождению и разделению носителей заряда (электронов и дырок) в активном слое при поглощении света. Эти носители заряда могут быть собраны и использованы для создания электрического тока.

Фотонно-электрические ячейки широко используются в различных приложениях, таких как солнечные батареи, фотодетекторы, оптическая связь и другие системы, где требуется преобразование световой энергии в электрическую.