Текст книги "Журнал PC Magazine/RE №04/2009"

Сводный тест
Тесты и обзоры: pcmag.ru/reviews

Модули ОЗУ: гонка на опережение

Максим Белоус, Олег Денисов

Обе ведущие фирмы на рынке компьютерных платформ (Intel и AMD) начинают уделять самое пристальное внимание ОЗУ DDR3 SDRAM. Специфику текущего момента и быстродействие имеющихся в розничной продаже модулей оперативной памяти мы изучаем на примере 22 комплектов.

История

Модули DDR3 SDRAM появились в розничной продаже в середине 2007 г. Пропускная способность подсистемы памяти для лидировавших тогда ОЗУ PC2-6400 составляла 6,4 Гбайт/с. В спецификациях первых образцов DDR3 этот показатель указывался на уровне 8,5 Гбайт/с (при двухканальном режиме работы теоретическая пиковая пропускная способность должна была достигать 12,8 Гбайт/с для DDR2 и 17,1 Гбайт/с для DDR3). Однако ожидаемый прирост производительности на треть при переходе на новый формат оперативной памяти еще долго оставался недостижимым.

Ситуация усугублялась и тем, что повышенная латентность первых модулей DDR3 не позволяла обеспечить преимущество более скоростного ОЗУ над доминирующим на рынке DDR2 SDRAM. Кроме того, новая память, как и следовало ожидать, оказалась чрезмерно дорогой, а способных работать с ней платформ в реальной рознице было очень мало (240-контактные модули ОЗУ DDR2 и DDR3 SDRAM из-за технологических особенностей несовместимы). В этом отношении весьма показательна позиция компании AMD, которая решила внедрять в свои продукты технологические нововведения не раньше, чем эти продукты станут широко востребованы рынком. Вплоть до появления системных плат под новый процессорный разъем АМ3 платформы AMD в принципе не могли работать с оперативной памятью нового формата.

Так что на протяжении почти полутора лет локомотивом продвижения на рынок памяти DDR3 была компания Intel и, разумеется, сами разработчики и производители модулей памяти, которые не переставали совершенствовать новый формат. Так, вскоре после появления первых образцов на рынок вышли DDR3-модули, работающие на частотах 1333 и 1066 МГц. А новый контроллер памяти 82X38, который Intel впервые представила в конце 2007 г. в составе набора микросхем X38 Express, обеспечил взаимодействие платформы с ОЗУ DDR2 и DDR3 SDRAM, оснащенными функцией контроля четности. Это гарантировало пиковую пропускную способность в двухканальном режиме на уровне 21,2 Гбайт/с.

Еще более существенный сдвиг потребительской парадигмы в отношении DDR3 произошел в ходе прошлогодней выставки CeBIT, на которой Intel анонсировала очередной перспективный набор системной логики X48 Express. Среди его особенностей, связанных с повышением производительности подсистемы памяти, – фирменные технологии Intel Fast Memory Access и Intel Flex Memory. Первая позволяет повысить производительность системы благодаря возросшей пропускной способности и сокращению задержек на операциях доступа к памяти, что обеспечивается усовершенствованной архитектурой шинных магистралей контроллера Intel 82X48 MCH. Вторая упрощает модернизацию подсистемы памяти, делая возможной установку DRAM-модулей различного объема. Этот НМС позволяет организовать двухканальный режим работы памяти (пиковая пропускная способность 25,6 Гбайт/c для модулей DDR3-1600 SDRAM) при предельном объеме 8 Гбайт, что обуславливает быстрый отклик системы, необходимый для 64-разрядных вычислений. И наконец, с выводом на рынок платформы Intel X58 стала реальностью трехканальная подсистема оперативной памяти.

В обзоре:

Категория PC3-14400 DDR3-1800

G.SKILL DDR3 Dual Channel Kit

Оценка: очень хорошо

Kingston HyperX Kit of 2 KHX14400D3K2/2G 2GB PC3-14400 CL8

Оценка: отлично

OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3N1800SR4GK (NVIDIA SLI-Ready Series)

Оценка: хорошо

Категория PC3-12800 DDR3-1600

GEIL Value Dual Channel Kit 2GB*2 PC3 12800 CAS8

Оценка: очень хорошо

Kingston HyperX Kit of 2 KHX13000D3LLK2/4G 4GB PC3-13000 CL7

Оценка: очень хорошо

Kingston HyperX Kit of 2 KHX12800D3K2/4G 4GB PC3-12800 CL9

Оценка: очень хорошо

OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3RPR16004GK

Оценка: отлично

OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3X16004GK (Intel Extreme Series)

Оценка: очень хорошо

Patriot memory PC3-12800 1600 Mhz 4GB (2*2GB) Kit PD000106-PVS34G1600LLK

Оценка: очень хорошо

Категория PC3-10660 DDR3-1333

Apacer 2GB UNB PC3-10600 CL9 with Heatspreader

Оценка: очень хорошо

Apacer 2GB UNB PC3-10600 CL9

Оценка: очень хорошо

GEIL Ultra Dual Channel Kit 2GB*2 PC3 10660 CAS6

Оценка: очень хорошо

Kingston ValueRAM KVR1333D3N9/2G 2GB PC3-10600 CL9 1.5V

Оценка: очень хорошо

Kingston ValueRAM Kit of 2 KVR1333D3N9K2/4G 4GB PC3-10600 CL9

Оценка: очень хорошо

OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3RPX1333EB4GK

Оценка: отлично

Qimonda IMSH2GU13A1F1C-13H 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0

Оценка: очень хорошо

Samsung 1GB 1Rx8 PC3-10600U-09-00-A0 M378B2873DZ1-CH9

Оценка: очень хорошо

Категория PC3-8500U DDR3-1066

Aeneon 2GB DDR3-1066 CL7

Оценка: очень хорошо

Apacer 2GB UNB PC3-8500 CL7

Оценка: очень хорошо

GEIL Value Dual Channel Kit 2GB*2 PC3 8500 CAS7

Оценка: очень хорошо

Kingston ValueRAM KVR1066D3N7K3/3G Kit of 3 1.5v

Оценка: очень хорошо

Samsung 2GB 2Rx8 PC3-8500U-07-00-B0 M378B5673DZ1-CF8

Оценка: отлично

Редакция советует

PC3-14400 DDR3-1800: Kingston HyperX Kit of 2 KHX14400D3K2/2G 2GB PC3-14400 CL8

PC3-12800 DDR3-1600: OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3RPR16004GK

PC3-10660 DDR3-1333: OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3RPX1333EB4GK PC3

PC3-8500U DDR3-1066: Samsung 2GB 2Rx8 PC3-8500U-07-00-B0 M378B5673DZ1-CF8

«Оверклокерская» память ориентирована на энтузиастов компьютерных игр, которые нуждаются в серьезном разгонном потенциале компонентов своей системы, а также в значительном запасе прочности для длительной эксплуатации этих компонентов при самых серьезных нагрузках. Однако запас прочности, гарантируемый такими модулями памяти, не обязательно должен обеспечивать бесперебойную работу именно игровых приложений. Стабильность наряду с избыточной надежностью подсистемы памяти находят и множество других областей применения. Поэтому отличия «Редакция советует» в категории модулей памяти PC3-14400 DDR3-1800 был удостоен комплект Kingston HyperX Kit of 2 KHX14400D3K2/2G 2GB PC3-14400 CL8.

В категории PC3-12800 DDR3-1600 безусловным лидером оказался комплект модулей ОЗУ OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3RPR16004GK. В них нашла применение система охлаждения, построенная с использованием тепловых трубок. Это обеспечивает дополнительный потенциал разгона и, как следствие, добавочный запас устойчивости штатной работы. В результате по итогам нашего тестирования результаты этих модулей оказались весьма впечатляющими. Следует отметить и набор Kingston HyperX Kit of 2 KHX13000D3LLK2/4G, продемонстрировавший очень привлекательный набор таймингов 7-7-7-20 на частоте 1625 МГц при напряжении 1,9 В.

Комплект модулей оперативной памяти OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3RPX1333EB4GK PC3 стал лучшим по результатам испытаний в группе PC3-10660 DDR3-1333. Каждый из пары модулей ОЗУ данного комплекта снабжен крупным ребристым выносным радиатором, соединенным с пластинами теплоотвода, которые размещены непосредственно на микросхемах памяти, и парой плоских тепловых трубок. В итоге – лучшие показатели производительности в группе как в режиме разгона, так и для паспортной частоты. Заслуживает упоминания и комплект ОЗУ GEIL Ultra Dual Channel Kit 2GB*2 PC3 10660 CAS6, снабженный штатными термодатчиками и показавший очень достойные результаты на тестах латентности и пропускной способности.

Группа комплектов ОЗУ PC3-8500U DDR3-1066 явила нам очевидного победителя, которым стал набор модулей Samsung 2GB 2Rx8 PC3-8500U-07-00-B0 M378B5673DZ1-CF8. Нам удалось получить полностью работоспособную систему, разогнав ОЗУ по частоте до 1333 МГц при штатных 1066 МГц с сохранением оригинальных таймингов. Более того, мы запустили эти модули памяти в работу с улучшенными по сравнению с паспортными таймингами на оригинальной частоте. Отметим и комплект ОЗУ Apacer 2GB UNB PC3-8500 CL7, продемонстрировавший на удивление достойные показатели производительности при работе в штатном режиме, а также солидный «запас прочности».

Технология

Хотя формат ОЗУ DDR3 позиционируется как новый, архитектурно эта память мало отличается от своих предшественниц. Организовать ее работу на более высоких по сравнению с DDR2 частотах удалось благодаря вдвое большей длине пакета на операциях предварительной выборки данных – процедуры, выполняемой средствами буфера ввода-вывода. В DDR3 SDRAM выполняется 8-бит выборка, в то время как в DDR2 – 4-бит. Именно поэтому, кстати, латентность нового типа памяти повышена по сравнению с предшествующим типом. Если для DDR2 требуется от трех до пяти тактовых импульсов для CAS, то более сложная архитектура DDR3 с 8-бит выборкой нуждается не менее чем в пяти импульсах. Реальное повышение быстродействия в итоге происходит вследствие увеличения частоты работы памяти, так что модуль DDR3-1600 с характеристикой CL8 будет работать так же производительно, как и DDR2-800 с CL4.

Возросшая пропускная способность открывает перед DDR3 неплохие перспективы освоения рынка ПК нового поколения. В ОЗУ этого типа предусмотрена встроенная самодиагностика на этапе калибровки выходного сигнала, прогрессивная топология микросхем Fly-by (в отличие от предыдущей архитектуры Conventional T передача адресов, команд и синхронизация инициализируются и завершаются непосредственно на модуле). Кроме того, рекомендованное JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) напряжение питания ОЗУ DDR3 SDRAM – 1,5 В против 1,8 В, характерного для модулей DDR2. С точки зрения энергопотребления это несомненный плюс. Впрочем, наиболее мощные и производительные представители нового семейства памяти потребляют 1,7 и даже 1,9 В.

Нынешнее тестирование памяти целиком посвящено именно скоростным ОЗУ DDR3. Технология DDR2, с одной стороны, уже достигла пика своего совершенства, а с другой – этот формат памяти неторопливо, но и неумолимо будет вымываться с рынка, по мере того как ориентированные на DDR3 платформы продолжат вытеснять с магазинных полок своих предшественниц. Мы разделили отобранные для тестирования пары модулей памяти по категориям, соответствующим заявленным их производителями характеристикам. Наиболее скоростные и мощные решения, как подсказывает логика, стоит искать среди модулей PC3-14400 DDR3-1800, а самые щадящие в отношении потребительского кошелька – среди PC3-8500U DDR3-1066. Однако, как показывают результаты испытаний, ориентироваться на одни только паспортные показатели модулей памяти при их выборе было бы опрометчиво.

Впрочем, практика свидетельствует, что битва за дополнительные проценты прироста производительности оперативной памяти в нынешних условиях уже не так актуальна, как три-пять лет назад. Емкая кэш-память современных процессоров позволяет хранить в непосредственной доступности значительные объемы данных; обращаться к оперативной памяти приходится в среднем заметно реже, чем раньше. В итоге производительность ОЗУ как таковая становится куда менее критичной.

Рынок

Аналитический портал индустрии ОЗУ DRAM Exchange объявил в своем отчете, опубликованном в начале года, что 2007-й и 2008-й стали худшими годами за всю историю индустрии. Рынок перенасыщен, модули DDR2 дешевеют: отпускная цена зачастую оказывается ниже себестоимости их производства. В этих условиях только массированный переход рынка на DDR3 сможет помочь индустрии удержаться на плаву – особенно с учетом глобально-экономических факторов.

Как ожидается, компании Elpida и Samsung в 2009 г. станут наиболее активными изготовителями микросхем DDR3, которые затем будут использованы для производства собственно модулей. Если в начале этого года доля модулей памяти DDR3 в общемировом рыночном предложении составляла менее 5 %, то к концу она может превысить 20 %. Относиться к такому прогнозу, впрочем, следует с непременной в последнее время поправкой: «В зависимости от того, насколько далеко зайдет кризис».

Лабораторные испытания

Тестирование комплектов памяти проводилось в два этапа. В рамках разработанного сценария все образцы проходили заданный цикл испытаний, последовательно выполняя набор тестов из состава пакета Sandra компании SiSoftware (условно бесплатную текущую версию можно загрузить по адресу www.sisoftware.co.uk). Потенциал модулей ОЗУ определялся по трем встроенным сценариям Sandra Lite 2009 SP2 – «Кэш и память», «Пропускная способность памяти» и «Латентность памяти».

Следует отметить, что по специальному алгоритму STREAM, на основе которого выполнен модуль тестирования ОЗУ пакета SiSoftware Sandra, можно достаточно подробно изучить иерархическую структуру памяти, латентность и пропускную способность модулей.

Существенно переработанная версия ПО Sandra Lite 2009 SP2 совместима с ОС семейства Windows Vista и многопроцессорными системами, что позволяет оценить потенциал таких платформ на базе встроенного сценария «Многоядерная эффективность».

Испытания модулей ОЗУ проводились под управлением ОС MS Windows Vista Ultimate 32-bit с подключенным обновлением Service Pack 1 и комплектом видеодрайверов NVIDIA GeForce 182.06, DirectX 10.1 (экранное разрешение 1920×1200, 32-разрядная глубина цвета, частота кадровой развертки 60 Гц). Стендовое оборудование было представлено платформой на базе системной платы ASUS P5E3 Premium WiFi-AP Rev. 2.00G BIOS 0704 (НМС Intel X48+ICH9R), четырехъядерного ЦП Intel Core 2 Extreme QX9770 (FSB:1600, тактовая частота 3,2 ГГц) и графической платы Gigabyte GV-N98TZL-512H (графический процессор GeForce 9800GT 512MB). Система оснащалась накопителем DVDR/RW ASUS DRW-0804P, 1-Тбайт жестким SATA-диском Seagate Barracuda 7200.11 ST31000340AS.

Паспортные значения тактовых частот системной шины, ЦП и ОЗУ, работающих в составе ПК, а также тайминги модулей памяти сверялись с реальными с помощью пакета EVEREST Ultimate Edition v5.00 Trial компании Lavalys Consulting Group и утилит диагностики Cpuid 1.50 и RightMark Memory Analyzer v3.8 (RMMA 3.8).

G.SKILL DDR3 Dual Channel Kit

G.SKILL DDR3 Dual Channel Kit

Реальная розничная цена: 5738 руб.

GSkill www.gskill.com

Оценка: очень хорошо

Достоинства. Лучшие в группе тайминги памяти в штатном режиме.

Недостатки. Отсутствие «запаса прочности».

Компания G.SKILL (слоган Great Skill in Memory World – «великое мастерство в мире памяти») была основана в 1989 г. группой энтузиастов в Тайбэе (Тайвань). Компания декларирует такие цели своей рыночной политики, как предоставление покупателям привлекательных цен, своевременное исполнение и доставка заказов, заслуживающее доверия качество, ориентированный на потребителя сервис и разнообразие предлагаемых продуктов. Утверждается, что вся готовая продукция компании без исключения проходит двукратное тестирование, один раз на фабрике, другой – непосредственно перед отправкой заказчику. G.SKILL выпускает как традиционную компьютерную память (DDR, DDR2 и DDR3 для настольных ПК, SODIMM для ноутбуков), так и память для Apple Mac и серверов, а также твердотельные накопители SATA SSD.

Модули ОЗУ G.SKILL, удовлетворяющие спецификации PC3-14400, в нашем тестировании были представлены 2-Гбайт комплектом F3-14400 CL8D-2GBPI-B. Кроме него компания предлагает и набор модулей вдвое большего объема с аналогичными характеристиками. Особенности продуктов этого класса – умеренная латентность и приемлемые тайминги 8-8-8-21 для режима DDR3-1800, а также весьма привлекательные тайминги в режиме работы на 1066 МГц (5-5-5-15). Отметим, что тайминги памяти по умолчанию для рассматриваемого комплекта оказались лучшими в группе. Для охлаждения модулей на микросхемах установлены оригинальные радиаторы из алюминиевого сплава с логотипом изготовителя и названием серии – «π series».

Та же греческая буква в качестве наименования серии располагается на коробке, в которой поставляется комплект. Логотип сопровождает лозунг серии: «Stability. Cooling. Performance». Что касается стабильности работы, то данный набор модулей нареканий не вызвал. Все применявшиеся нами для проверки устойчивости памяти к нагрузкам тестовые пакеты (BAPCo SYSmark 2007 Preview, 3DMark Vantage, PCMark Vantage) отработали с G.SKILL DDR3 Dual Channel Kit без сбоев. Запас прочности, любителями экстремальных решений используемый для разгона, в данном случае отсутствует: запустить эти модули ОЗУ и на частоте 1860 МГц, и с напряжением питания 2,0 В вместо 1,9 В нам не удалось. Впрочем, и без того эта память проявила себя достаточно производительной.

Kingston HyperX Kit of 2 KHX14400D3K2/2G 2GB PC3-14400 CL8

Kingston HyperX Kit of 2 KHX14400D3K2/2G 2GB PC3-14400 CL8

Реальная розничная цена: 4388 руб.

Kingston Technology www.kingston.ru

Оценка: отлично

Достоинства. Лучшие в группе показатели производительности.

Недостатки. Отсутствие «запаса прочности».

Модули ОЗУ компании Kingston Technology на протяжении многих лет пользуются неизменным спросом у поставщиков компьютерной техники и потребителей. Снискав славу высоконадежных компонентов, они обеспечиваются пожизненной гарантией. «Пожизненность» здесь – как и в случае прочих участников нашего тестирования – означает, что на протяжении жизненного цикла данного типа памяти его замена из-за неисправности (не связанной с нарушением условий эксплуатации, разумеется) будет производиться без каких-либо пререканий.

Kingston Technology четко разделяет свою продукцию на две категории. Рядовым пользователям и крупным сборщикам адресованы модули семейства ValueRAM, а изделия категории HyperX ориентированы на энтузиастов компьютерных игр, нуждающихся в серьезном разгонном потенциале компонентов своей системы, а также в значительном запасе прочности для длительной эксплуатации этих компонентов при самых серьезных нагрузках.

Рассматриваемый участник тестирования представляет собой именно такой высокопроизводительный комплект общим объемом 2 Гбайт. Для охлаждения модулей памяти HyperX применяются фирменные радиаторы особой конструкции на защелках. В документации на модули указан обширный перечень рабочих параметров, маркировка и типоразмеры ОЗУ.

Модули Kingston Technology показали в данной группе наиболее выдающиеся результаты по основным проведенным тестам. «Запас прочности» у них, как и у других ОЗУ в группе PC3-14400 DDR3-1800, отсутствует, однако на стабильную и производительную работу в штатном режиме это не влияет.

С учетом привлекательной цены за гигабайт памяти комплект модулей ОЗУ HyperX (код для заказа KHX14400D3K2/2G) можно рекомендовать для большинства систем, устойчивая работа которых ценится прежде всего. По итогам тестирования ОЗУ PC3-14400 DDR3-1800 компании Kingston Technology удостоены отличия «Редакция советует».

OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3N1800SR4GK (NVIDIA SLI-Ready Series)

OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3N1800SR4GK (NVIDIA SLI-Ready Series)

Реальная розничная цена: 8775 руб.

АК-Цент www.ak-cent.ru

Оценка: хорошо

Достоинства. Отличные результаты при работе на частоте 1062 МГц.

Недостатки. Не удалось запустить комплект на тестовом стенде в штатном режиме.

Нешуточные маркетинговые сражения потрясают рынки, на которых сталкиваются в противостоянии два сопоставимых по силе лидера. Это, кстати, особенно заметно проявляется в сегменте операционных систем широкого назначения: еще несколько лет назад в Интернете шли баталии между «линуксоидами» и сторонниками Windows, а теперь на приверженцев операционных систем Microsoft не менее ощутимо наседают и поклонники Apple Mac.

Столь же остра полемика между пользователями, признающими графические платы исключительно на НМС ATI, и теми, кто хранит верность NVIDIA. Для первых ATI ввела когда-то сертификацию модулей ОЗУ на предмет гарантированно устойчивой работы с ее графическими адаптерами в наиболее мощных конфигурациях. Логотип ATI Certified на модулях оперативной памяти смотрелся несколько непривычно, но целевой аудитории он пришелся по нраву. Прошло некоторое время, и NVIDIA также ввела собственную систему сертификации, после чего в модельном ряду уважаемой компании OCZ появилась серия NVIDIA SLI-Ready. Такая память совместима со стандартом EPP (Enhanced Performance Profiles), призванным дополнительно повысить ее производительность, стабильность работы и активно продвигаемым как раз компанией NVIDIA.

Модули ОЗУ OCZ DDR3 Dual Channel Kit OCZ3N1800SR4GK являются, таким образом, сертифицированными для SLI-систем, о чем свидетельствует соответствующий логотип на стильном черном радиаторе XTC (SLI-Ready Xtreme Thermal Convection Heatspreader). Тем не менее в нашей тестовой системе, построенной на платформе Intel X48, удостовериться в эффективности работы этих модулей в режиме SLI не удалось. Больше того, доставшийся нам на тестирование комплект не заработал и на штатной частоте 1800 МГц. Правда, в режиме 1062 МГц он продемонстрировал очень хорошие результаты как по производительности, так и по стабильности работы. Судя по тому, как проявили себя в соответствующих группах другие комплекты ОЗУ компании OCZ, отсутствие результатов на тестах с частотой 1800 МГц можно списать на то, что соответствующий профиль работы памяти оптимизирован для использования именно с BIOS системных плат на новейших НМС NVIDIA, таких, как nForce 790i Ultra.