Текст книги "Все науки. №7, 2023. Международный научный журнал"

ПАРАМЕТРЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ И ЧАСТНОЕ ОПИСАНИЕ ПРОЦЕССА СОЗДАНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ

УДК 621.383

Аннотация. Активность в области использования полупроводниковых материалов в области энергетических технологий на сегодняшний день открывает большое количество возможностей, что говорит о необходимости дальнейшего более активного развития и использования. Кроме того, стоит также обращать внимание и на применение большого количества различных материалов среди коих могут выделяться отдельные представители, резко повышающие общую эффективность всей полупроводниковой конструкции и находящиеся на данный момент в большем приоритете по подобному измерению в лице бинарных, тернарных и т. д. химический соединений.

Ключевые слова: теллурид кадмия, полупроводниковые элементы, фотоэлектрические устройства, эффективность, технология производства, индустриализация.

Annotation. Activity in the field of the use of semiconductor materials in the field of energy technologies today opens up a large number of opportunities, which indicates the need for further more active development and use. In addition, it is also worth paying attention to the use of a large number of different materials, among which individual representatives may stand out, dramatically increasing the overall efficiency of the entire semiconductor structure and are currently in greater priority for such a measurement in the face of binary, ternary, etc. chemical compounds.

Keywords: cadmium telluride, semiconductor elements, photovoltaic devices, efficiency, production technology, industrialization.

Фотоэлектрические элементы, как известно, основывающиеся на методе генерации электрической энергии благодаря малой энергии, которую необходимо прикладывать в лице того или иного излучения, действуют по законам фотоэлектрических явлений (частные уравнения) (1—2).

И прежде чем давать некоторые выводы относительно того или иного элемента, признаваемое как основное для создаваемого полупроводникового элемента, стоит рассмотреть настоящее химические соединение по самым различным его параметрам. В данном случае на роль такого соединения выходит теллурид кадмия (Рис. 1), являющееся бинарным соединением кадмия и теллура, а также считаемый полупроводником 2-а и 6-б группы с шириной запрещённой зоны при температурах в 300 К в 1,49 эВ.

Рис. 1. Кристалл теллурида кадмия

Применение этого элемента на данный момент действительно популярно при создании солнечных батарей, детекторов ионизирующего излучения и фотоприёмников, однако математическая база этих явлений всё также требуют рассмотрения. Этот материал при обычном своём состоянии является твёрдым с молярной массой в 240,01 г/моль и плотностью 5,85 г/см³, обладает после своего образования температурой плавления 1092 градуса по Цельсию с кубической структурой или структурой сфалерита, также популярный в народе как цинковая обманка.

У образованного материала коэффициент линейного теплового расширения составляет 5,9*10^—6 1/К при достижении значения температур в 293 К. Модуль Юнга у такого материала достигает 52 Гпа с коэффициентом Пуассона 0,41. Ещё одним, для некоторых случаев благоприятных моментов является обстоятельство его прозрачности для инфракрасного излучения от 830 нм, однако отрицательным в случае необходимости детектирования подобного рода классов излучений. Необходимо отметить, что это излучение, зависимое от энергии, близкой к ширине запрещённой зоны материала в 1,5 эВ при 300 К, что и становится причиной его прозрачности для такого рода излучений, соответствующие 20 мкм.

Рис. 2. Смещение спектров флуоресценции в теллуриде кадмия

Данный элемент кроме того обладает свойством флуоресценции, но достигает своего пика только при 790 нм. Настоящий закон действенен только для массивных кристаллов, когда же их размер сравнительно уменьшается и может доходить до состояния приведения в квантовые точки, пик флуоресценции начинает смещаться на определённое значения, находясь уже на ультрафиолетовый диапазон. Больше всего эту зависимость олицетворяет спектр флуоресценции теллурида кадмия для различных размеров, где размер коллоидных частиц увеличивается примерно от 2 до 20 нм, а в лице причины такого смещения пика представляется некоторая квантовая яма (Рис. 2).

Среди химических свойств этого соединение не стоит говорить довольно много и вполне достаточно отметить, что он плохо растворяется в воде, имеет свойство взаимодействия даже со слабыми кислотами с выделением теллуроводорода и образованием соответствующей соли, что довольно очевидно.

Исходя из всех представленных физико-химических описаний настоящего соединения, а также находя соответствие с физико-математическими законами фотоэлектрических явлений, можно в сравнительном анализе говорить о весьма благоприятной пригодности этого материала для роли полупроводниковой фотоэлектрической основы для подобного рода устройств со сравнительно большой эффективностью. Но стоит сказать, что дальнейшее совершенствование этой технологии неизбежно и требует более подробного дальнейшего рассмотрения.

1. Бовин Л. А и др. Физика соединений а-2 б-6 / под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. – М.: Наука, Гл. ред. Физ.-мат. Лит., 1986. – 319 с.

2. Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. – Л.: Наука, 1978. – 616 c.

3. Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. – М.: Лань, 2008. – 624 c.

4. Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. – Москва: Огни, 1978. – 770 c.

5. Атья, М. Геометрия и физика узлов / М. Атья. – Москва: СПб. [и др.]: Питер, 1995. – 963 c.

6. Борисов, Е. Ключ к солнцу. Рассказы о полупроводниках / Е. Борисов, И. Пятнова. – Л.: Молодая Гвардия, 1997. – 304 c.

7. Данлэп, У. Введение в физику полупроводников / У. Данлэп. – М.: Издательство иностранной литературы, 2011. – 430 c.

8. Зельдович, Я. Б. Высшая математика для начинающих и её приложения к физике / Я. Б. Зельдович. – Москва: РГГУ, 1983. – 794 c.

9. Зельдович, Я. Б. Высшая математика для начинающих физиков и техников / Я. Б. Зельдович, И. М. Яглом. – Москва: ИЛ, 1982. – 108 c.

10. Иоффе, А. Ф. Избранные труды (том 2). Излучение, электроны, полупроводники: моногр. / А. Ф. Иоффе. – Москва: Наука, 1976. – 552 c.

11. Курчатов, И. В. И. В. Курчатов. Собрание научных трудов в 6 томах. Том 1. Ранние работы. Диэлектрики. Полупроводники / И. В. Курчатов. – Л.: Наука, 2005. – 576 c.

12. Ладыженская, О. А. Краевые задачи математической физики / О. А. Ладыженская. – Москва: Гостехиздат, 1975. – 810 c.

13. Левинштейн, М. Е. Знакомство с полупроводниками / М. Е. Левинштейн, Г. С. Симин. – М.: Главная редакция физико-математической литературы издательства «Наука», 1984. – 240 c.

14. Левинштейн, М. Е. Знакомство с полупроводниками / М. Е. Левинштейн, Г. С. Симин. – М.: Институт компьютерных исследований, 2004. – 208 c.

15. Михлин, С. Г. Курс математической физики / С. Г. Михлин. – Москва: Высшая школа, 2005. – 947 c.

16. Новые полупроводниковые приборы: Химия, физика, техника полупроводников. – М.: Гостехиздат, 1975. – 748 c.

17. Ормонт, Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б. Ф. Ормонт. – М.: Высшая школа, 1975. – 490 c.

18. Ректорис, К. Вариационные методы в математической физике и технике / К. Ректорис. – Москва: Высшая школа, 1985. – 363 c.

19. Слэтер, Дж. Диэлектрики. Полупроводники. Металлы / Дж. Слэтер. – М.: Мир, 2001. – 648 c.

20. Угай, Я. А. Введение в химию полупроводников / Я. А. Угай. – М.: Высшая школа, 1975. – 302 c.

21. Франк, Ф. Дифференциальные и интегральные уравнения математической физики (ч. 2) / Ф. Франк, Р. Мизес. – Москва: ИЛ, 1990. – 467 c.

ПРИМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ ОБЩЕЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ РОСТА РАСТЕНИЙ В ФИЗИКО-БИОЛОГИЧЕСКОМ СМЫСЛЕ

УДК 581.132

Аннотация. Развитие самого разного рода достижений в современной науке ведёт к ускорению процесса определения нового рода изобретений и воздействия одного из явлений на другие. Доказательством тому может служить технология, никогда упоминаемая, но лишь ныне активно развивающаяся в роли отдельного способа, а именно технология ускорения роста растений посредством влияния на них и на занимаемую ими почву электромагнитных полей.

Ключевые слова: электромагнитное поле, физико-биологические процессы, фотосинтез, ускорение роста, растения.

Annotation. The development of various kinds of achievements in modern science leads to an acceleration of the process of determining a new kind of invention and the impact of one of the phenomena on others. The proof of this can be a technology that has never been mentioned, but is only now actively developing as a separate method, namely, the technology of accelerating plant growth through the influence of electromagnetic fields on them and on the soil occupied by them.

Keywords: electromagnetic field, physico-biological processes, photosynthesis, growth acceleration, plants.

Сам процесс роста растений, как известно, основывается на целом массиве самых различных физических, химических и биологических явлений, каждая из которых вносит свою лепту в общий рост, однако, один из процессов может воздействовать довольно быстро, другая наоборот – вносит меньшие усилия, но также остаётся важной. Отвечая за свою определённую область во всём общем процессе. Сам рост объясняется путём активного деления клеток самого растения, для чего она затрачивает определённые энергетические ресурсы, в качестве тех же молекул АТФ, а также биологические. К примеру, для изначального синтеза белков, после контакта дезоксирибонуклеиновой кислотой (ДНК) с транскриптазой в ядрышке и образованием информационной рибонуклеиновой кислоты (и-РНК), а также последующим его переносом через цитоплазму к рибосомам, где и производиться синтез всех необходимых белков, необходимо введение туда «материалов», в качестве транспортной РНК.

Для того, чтобы к каждой из клеток поступал необходимый материал в роли пищи, которую клетка поглощает посредством своих оболочек и направляет необходимые белки-ингибиторы, расщепляющие её на части, а также в комплексе Гольджи образующие из них необходимые для размножения ферменты. Более того, когда клетка получает всё необходимое для продолжения «рода», сперва начинает делиться её ядро, разумеется, с копированием ДНК и хромосом в ядрах, хоть и потерей транскриптазы на концах. Далее необходимые вакуоли и прочие части клетки начинают также поровну распределяться, по итогу увеличивая клетку до того состояния, пока наконец внешняя оболочка не образует из этой массы две новые клетки, так делиться одна клетка и таким образом растёт всё растение, при необходимости получая дополнительные химико-биологические «сигналы» для деления в той или иной форме. К примеру, превращаясь уже от клеток стебля в клетки листьев, лепестков и т. д.

Когда сам процесс более или менее представлен, хоть и не очень подробно, стоит обратиться к способам увеличения скорости этого роста. Для того, чтобы получить питательные вещества, большое количество привычных благородных растений, используют свои корни, чаще всего поглощая воду, богатую минералами и растворёнными в ней ферментами. А также, она получает энергию от Солнца, используя фотосинтез – сложный процесс, во время которого растение через свои листья поглощает углекислый газ и выделяет кислород, хотя в обычном состоянии оно также поглощает кислород, как и большинство живых организмов. Когда все необходимые ферменты собраны, в дело вступает хлорофил – отлично принимающие солнечное излучение и переводящий его в молекулы АТФ, а те в свою очередь помогают преобразоваться поступившим простейшим и элементарным соединениям в полноценные ферменты, необходимые для роста растения.

Увеличение солнечного света привело бы к тому, что растение могло бы получить ожог, поскольку это привело бы к быстрому испарению влаги на её поверхности и скорому высыханию. Так, растение защищая свой стебель отращивает листья, также предоставляя и большие площади для поглощения необходимых ему газов, в том числе и карбонат из воздуха. Если же прибегнуть к способу насыщения окружающей растение атмосферы различными газами, необходимыми для него, то и их передозировка привела бы к тому, что некоторые процессы могли бы кратковременно ускориться или увеличить свой объём, но прочие попросту бы остановились, опять приводя к гибели растения. К примеру, если обогатить окружающее пространство карбонатом, для того чтобы растение смогло лучше производить фотосинтез, это привело бы к тому, что оно попросту уже не могло бы находиться в обычном состоянии – поглощая кислород и выделяя этот самый углекислый газ, карбонат, что замедлило бы большинство процессов.

Остаётся последний способ воздействия – улучшение почвы и направляемых питательных веществ. Но и в этом случае необходимо подходить максимально осторожно, поскольку если обогатить почву слишком сильно, растение уже либо не сможет держаться на поверхности почвы из-за того, что почва станет слишком рыхлой, либо попросту не сможет поглотить такой объём соединений. По этой причине, был избран максимально осторожный и выверяемый метод воздействия на растение и почву электромагнитным полем.

Весь секрет заключается в том, что в большинстве своём, обогащающие ферменты содержат в себе атомы металлов, растворённые в воде или пребывающие в почве, за счёт чего, после воздействия электрическим и магнитным полем, поток воды вместе с необходимыми соединениями начинает помогать капиллярному эффекту, отвечающие за поднятие жидкости к вершинам растения и помогающий его росту. Благодаря чему, растению не нужно вносить слишком сильных усилий, получая больший объём веществ, но и находящийся в рамках того, какое оно может воспринять. Именно по этой причине настоящий метод является одним из самых благоприятных и возможных к осуществлению в больших масштабах.

Так, в качестве эксперимента был изготовлен электромагнит длиной в 100 метров, к нему была подключена электрическая схема из 10 транзисторов, 2 резисторов, блока питания на 12—24 вольта. При этом на каждом слое электромагнита было только по одному витку, из-за чего сам электромагнит был несколько сплюснут и на него можно было расположить растение. Для детектирования наличия поля был создан второй электромагнит в разы меньший и подключённый к лампочкам, которые включались под действием электромагнитной индукции (Рис. 1).

Рис. 1. Фотография проведённого эксперимента с проросшим без солнечного света растением и электромагнитом

В систему подавалось изначально напряжение в 5 вольт и 1 ампер, после чего он преобразовывался в 1 кВ, а частота тока достигало 35,4991 кГц (Рис. 2—3).

Рис. 2. Диаграмма на осциллографе подаваемого переменного тока

Рис. 3. Схема применённого электромагнита

Таким образом, растение получает возможность для увеличения скорости роста растения, которое было продемонстрировано на эксперименте проведённый в лабораторных условиях. Эксперимент сравнивал скорости роста растения, которое находилось под солнечными лучами и растение, фотография коего приводилась (Рис. 1) и который достиг своего результата достаточно роста за 5 дней, при использовании вышеупомянутых параметров для придаваемого тока с напряжением, силой и частотой тока.

В результате проведённой работы стало возможно доказать не только в теоретическом, но и практическом смысле эффективность настоящей технологии использования электромагнитов для ускорения роста растений, что можно также представить и в более масштабном смысле (Рис. 4).

Рис. 4. Модель совершенствования в масштабах теплицы

1 – плодородная почва глубиной 200—300 мм;

2 – система безопасности; 3 – песок глубиной 50 мм;

4 – индукционно-электромагнитный ковёр;

5 – основа для установки сетки; 6 – тепловая изоляция; 7 – почва; 8 – сенсорный термостат (температурный датчик).

Таким образом отмечается, что есть направление для дальнейшего развития и масштабирования подобной технологии, способная принести не малую пользу для всего человечества.

1. Аполлонский С. М., Каляда Т. В., Синдаловский Б. Е. Безопасность жизнедеятельности человека в электромагнитных полях; Политехника – М., 2011. – 264 c.

2. Б. Блейк Левитт Защита от электромагнитных полей; СИНТЕГ – Москва, 2013. – 448 c.

3. Васильев Николай Микроорганизмы в электромагнитном поле; Огни – Москва, 2011. – 112 c.

4. Владимиров С. А. Группы симметрии дифференциальных уравнений и релятивистские поля; [не указано] – М., 2011. – 112 c.

5. Гааз А. Введение в теоретическую физику. Механика. Теория электромагнитного поля и света. Термодинамика: моногр.; Ленанд – М., 2015. – 354 c.

6. Геккер И. Р. Взаимодействие сильных электромагнитных полей с плазмой; Атомиздат – М., 2014. – 312 c.

7. Григорьев В. И., Григорьева Е. В., Ростовский В. С. Бароэлектрический эффект и электромагнитные поля планет и звезд; Мир – Москва, 2014. – 192 c.

8. Демирчян, К.С.; Чечурин, В. Л. Машинные расчеты электромагнитных полей; Высшая школа – М., 2015. – 240 c.

9. Докучаев Денис Воздействие электромагнитного поля на Тиляпию; ИЛ – Москва, 2014. – 550 c.

10. Ивасава К. Локальная теория полей классов; [не указано] – М., 2015. – 353 c.

11. Красносельский М. А., Перов А. И., Поволоцкий А. И. Векторные поля на плоскости; [не указано] – М., 2016. – 842 c.

12. Абаимов, В. Ф. Дендрология. Учебник для академического бакалавриата / В. Ф. Абаимов. – М.: Юрайт, 2016. – 444 c.

13. Анцышкина, А. М. Ботаника. Руководство по учебной практике / А. М. Анцышкина, Е. И. Барабанов. – М.: Медицинское информационное агентство, 2013. – 144 c.

14. Анцышкина, А. М. Ботаника. Руководство по учебной практике для студентов / А. М. Анцышкина, Е. И. Барабанов, Л. В. Мостова. – М.: Медицинское информационное агентство, 2006. – 104 c.

15. Афанасьева, Н. Б. Введение в экологию растений / Н. Б. Афанасьева, Н. А. Березина. – М.: Издательство МГУ, 2011. – 800 c.

16. Барабанов, Е. И. Атлас по ботанике. Анатомия, морфология и систематика высших растений / Е. И. Барабанов. – М.: Медицинское Информационное Агентство (МИА), 2013. – 276 c.

17. Басов, В. М. Практикум по анатомии, морфологии и систематике растений / В. М. Басов, Т. В. Ефремова. – М.: Либроком, 2010. – 240 c.

ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ

ОБЩАЯ КАРТИНА РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОМЫШЛЕННОЙ АВТОМАТИЗАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА УСТАНОВКИ ДЕТАЛЕЙ СИСТЕМЫ ПОДОГРЕВА АВТООКОН

УДК 681.5

Аннотация. Огромное количество технологий используемые на сегодняшний день обладают различным уровнем воздействия на современную промышленность, среди чего можно отметить важность применения автоматизированных систем для повышения общей эффективности в индустриальном масштабе. Благодаря чему актуальной на сегодняшний день становится работа по достижению новых возможностей становящиеся полезными на пути развития индустрии.

Ключевые слова: система обогрева автостёкол, автомобильная промышленность, система установки авто-окон, автоматизация системы установки обогрева, детализация технологий.

Annotation. A huge number of technologies used today have different levels of impact on modern industry, among which we can note the importance of using automated systems to increase overall efficiency on an industrial scale. Thanks to this, the work on achieving new opportunities that become useful on the way of industry development becomes relevant today.

Keywords: auto glass heating system, automotive industry, auto window installation system, automation of heating installation system, technology detailing.

Первоначальным этапом на пути совершенствования настоящего направления является его изучение и рассмотрение с самых различных аспектов и сторон, что начинается с описания технологии установки систем обогрева автостёкол в автомобильной промышленности [1—3]. В данном случае, стоит обратить внимание на компоненты системы обогрева автостёкол, представляемая посредством описания самой изначальной структурной схемы подключения обогревателя, использующая электротермическое устройство автомобиля, посредством применения самой сетки, аккумулятора и некоторых связующих элементов [4—7].

Следующим этапом является изучения технологии установки сетки обогрева задних стёкол, состоящая из этапов его изучения посредством понимания структуры нагревательного проводника, наряду с анализом методов его изготовления и изучение при помощи структурного анализа, его химической составляющей, наряду с непосредственным определением установки систем проводника обогрева [7—13]. Но и это не является завершающей точкой, поскольку стоит также и описать вместе с этим алгоритм пайки образованного контакта, также известного и чаще применяемого под наименованием терминала подогрева автостёкол к нагревательной сетке, имеющая в составляющей первоначальную конструкцию и стандарты настоящего терминала, технологию пайки этого терминала, необходимые устройства и используемые в данном случае материалы для выше приводимого технологического процесса пайки, автоматизированные технологические устройства для пайки клеммы или терминала к приводимой системе обогрева [13—17].

На этом моменте завершается изначальное изучение теоретического обоснования проводимой инженерно-исследовательской работы, состоящая в создании «Устройства Автоматической Пайки» («УАП»), проект коего в дальнейшем и приводиться в качестве основной части работы, в действии коего приводиться общий проект автоматизированного устройства «УАП». В последующем, после описания самого проекта с приведением трёхмерной модели и видов его чертежей приводятся технические параметры механической и отдельных части автоматизированного устройства, присутствующий в структуре оборудования.

Более того, существует также и структурная схема автоматизированной системы, включающая в себе обозначение и демонстрацию в различных аспектах вида устройства, а также учитываются параметры микропроцессорных электронных устройств, среди которых также имеется и система сенсорной панели, для демонстрации состояния действующего устройства, вместе с показом данных датчиков, электроприводов и прочих деталей общей системы. Именно это служит причиной описания каждой модели используемого датчика с его описанием, характеристиками, приведением место установки и прочих детальностей действия. Однако, разумеется, большое важностью обладают описания не только датчиков и механической системы, но и прочих немаловажных элементов, а именно механики автоматической передачи клемм в процессе пайки, которая также присутствует, ускоряя весь процесс.

Также среди элементов не малую важность имеет автоматизированная система паяльного материала – припоя также во время технологического процесса пайки, что ещё раз аргументирует возможность определения в автоматизированном ключе устройства «УАП», а также факт его полу-автономности, вместе с описанием и приведением данных о программном обеспечении автоматизированного устройства «УАП» в качестве блок-схемы и частного программного языка, использованного для изображения представляемого посредством компьютерной системы и сенсорного выведения алгоритма действия.

После того, как было приведено описание самого устройства «УАП» со всеми его детальными составляющими не малую важность имеет описание устройства в действии или точнее полноценное представление действия всей выше представленной конструкции. Подобный процесс начинается с приведения полноценных данных о проведённых экспериментальных тестах различных частей автоматизированной установки «УАП» по проведению процесса пайки.

В дальнейшем приводиться актуальное физико-математическое моделирование момента регулирования температуры в технологическом процессе пайки с учётом матрично-модуляционного математического аппарата направленный на деление и частично ориентировочный, в последующим аналогично посредством проведения соответствующих расчётов, решения дифференциальных уравнений в частных производных и прочих действий, благодаря чему и приводилось общее описание и графическое физико-математическое представление с учётами всех необходимых корреляций процесса регулирования температуры во время технологического процесса пайки.

Однако, разумеется, этот процесс является не единичным и требующим анализа не только термической регулировки, но и момента контроля силы нажатия, который возможно на первый взгляд не имел бы большой важности, но как показало физико-математическое моделирование настоящего аспекта, обладает средней корреляционной проводимой способностью на алгоритм и общую эффективность технологического процесса пайки, за счёт чего и была создана математическая модель управления усилием нажатия клеммы к окну в технологическом процессе пайки.

После того, как были решены теоретико-модуляционные вопросы с точки зрения физико-математических исследований проекционно-конструктивного характера, обладает актуальностью вопрос о технологическом применении воссозданной в вышеописанном процессе автоматизированной системы. Подобное описание наряду с этим служит полноценной инструкцией на пути использования устройства по перечисляемым функциям.

В заключении подобного анализа также приводятся описания новых решений, произведённые во время создания, тестирования, физико-математического моделирования, в частности, в общем плане и отдельных случаях-явлениях, анализе с технической, экономической, физической и иных точек зрения эффективностей, а также иных описываемых во время исследовательской работе процессах. И при этом для представления непосредственно экономической эффективности отводиться отдельное внимание, с представление его расчёта, но при этом большую же важность имеет вопрос непосредственного и немедленного внедрения в индустриальном плане подобного устройства, с представлением уже полученных некоторых многообещающих и весьма перспективных результатов, символизирующие важность подобного рода технологии и её внедрения с дальнейшими возможностями её усовершенствования в частном и общем структурно-масштабном плане.