Автор книги: Николай Симонов
Жанр: История, Наука и Образование
сообщить о неприемлемом содержимом
Текущая страница: 6 (всего у книги 23 страниц) [доступный отрывок для чтения: 6 страниц]
Первая научная конференция, посвященная истории развития советской вычислительной техники, состоялась 16 апреля 2012 г. в формате Международной секции «История отечественной информатики, кибернетики, вычислительной техники и АСУ», проводимой в рамках Юбилейной (80 лет) годичной конференции ИИЕТ РАН. Обсуждались такие вопросы, как борьба за признание и становление кибернетики в СССР, создание первых отечественных ЭВМ и программных комплексов и систем, роль и научно-организационная деятельность пионеров отечественной информатики. Проблема создания и развития производственной и технологической базе отечественного компьютеростроения не дискутировалась.
О том, что помешало СССР войти в число мировых лидеров в компьютерной отрасли, достаточно убедительно свидетельствуют материалы специальной Комиссии Государственного Комитета по науке и технике при Совмине СССР (далее – ГКНТ СССР) под председательством доктора технических наук А. И. Мямлина. Из них, например, следует, что, по причинам производственно-экономического характера, отставание СССР от США в области компьютеростроения во второй половине 1960-х стало исчисляться в разы: по количеству ЭВМ – в 17,2 раза, по надежности аппаратных и периферийных устройств – в 10 раз.[64]64
РГАЭ. Ф. 9480. Оп. 9. Д. 638. Л. 117.
[Закрыть]
Но это еще было полбеды. Настоящий провал назревал в развитии отечественной программной инженерии. Из современных исследователей на это впервые обратил внимание профессор В. В. Липаев:
«Некоторые руководители высшего звена страны боялись и не понимали методов и технологии создания программ и считали, что на Западе имеется огромное число программных продуктов, которые «без особого труда» можно нелегально взять и использовать. ‹…› К сожалению, эта точка зрения возобладала. За прототип была принята архитектура ряда IBM 360 и ряда PDP 11 фирмы DEC. Освоение импортных операционных систем, СУБД, прикладных программ для этих типов машин сильно подорвало отечественную школу программирования и сориентировало ее на заимствование и адаптацию готовых зарубежных программ. ‹…› Одновременно в угоду приоритету ЕС ЭВМ были по существу прекращены работы по развитию отечественных универсальных ЭВМ».[65]65
Липаев В. В. Проблемы и история развития комплексов программ реального времени для территориально-распределенных информационных систем (1958–1988 гг.)// http://www.computer-museum.ru/books/8.htm
[Закрыть]
Многие исследователи считают, что перелом в судьбе отечественного компьютеростроения и информатики произошел в середине 1960-х, когда начался переход от ЭВМ второго поколения к универсальным машинам с общей архитектурой, то есть программно-совместимым. В литературе до сих пор не утихают споры, правильно ли было принимать за основу единой системы электронно-вычислительной техники (ЕС ЭВМ) мировые стандарты компьютеростроения, или следовало самостоятельно разрабатывать перспективные аппаратно-программные и производственно-технологические решения.[66]66
Дубова Наталья. Очерки истории советской вычислительной техники //Открытые системы. – 1999. – №№ 3–4.
[Закрыть]
Некоторую ясность в этот вопрос вносит доклад ГКНТ СССР «О состоянии и тенденциях развития универсальных вычислительных машин» от 30 декабря 1966 г. В данном документе отмечается, что разработка универсальных ЭВМ началась в СССР в 1949 г. по заданию и под контролем 1-го ГУ Совмина СССР («Стрела» и БЭСМ-1). Производство полупроводниковых ЭВМ в СССР началось в 1962 г. («Урал-11», «Урал-14», «Урал-16»). Работы в этом направлении велись в Минрадиопроме и в Министерстве приборостроения СССР. Каждое министерство разрабатывало ряд ЭВМ, копирующих систему IBM-360. Это объяснялось тем, что вести собственные разработки на том же уровне, что и IBM, «нет никакой возможности», поскольку «IBM имеет в своем распоряжении значительно больше конструкторов и производственные мощности, чем все предприятия и организации Минрадиопрома, Министерства приборостроения и секретные управления, занятые работами в области вычислительной техники».[67]67
РГАЭ. Ф. 9480. Оп. 9. Д. 638. ЛЛ. 204, 204 об., 205, 213.
[Закрыть]
Если бы советские внешнеторговые организации могли приобретать компьютеры IBM и техническую документацию к ним законным путем, то спорить было не о чем. Поставки новейших IBM-совместимых ЭВМ сулили СССР быструю информатизацию, охват компьютерами самых разных сфер деятельности, а так приходилось заниматься «воровством» чужих технологий и приспособлением их к сильно отстающей в развитии электронно-конструкторской базе. По неполным данным, в СССР с 1970 по 1997 годы было выпущено ЕС ЭВМ разных моделей 15 576 шт. Между тем еще в 1960-х одна только IBM продавала ежегодно по 10–15 тыс. машин. Советских мини ЭВМ было произведено около 60 тыс., в то время как одних только представителей семейства PDP 11 фирма DEC продала более полумиллиона.
Факты и документы свидетельствуют о том, что «роковое», по мнению некоторых исследователей, решение о копировании компьютеров третьего поколения IBM S/360 отнюдь не привело к свертыванию работ по развитию и совершенствованию самой перспективной на тот период БЭСМ-6, созданной в ИТМиВТ под руководством академика С. А. Лебедева. Различные модификации этой машины нашли применение в военной области. На ее основе в 1970-е годы была создана первая в стране автоматизированная банковская система (АБС), обслуживавшая учреждения Госбанка СССР в Москве, Московской области и еще 13-ти крупнейших регионов страны. Ежесуточный объем информации, поступавшей на вход «АБС Банк» достигал 15 106 алфавитно-цифровых знаков, что составляло, примерно, 350 тыс. банковских документов. В памяти АБС хранилась информация о состоянии 200 тыс. лицевых счетов учреждений, предприятий и организаций столицы. Результаты обработки данных выдавались на печатающие устройства в виде окончательно оформленных банковских документов по 300 формам с общим объемом 15 млн 128-разрядных строк.[68]68
Симонов Н. С. Банки и деньги. 1988–2008. Исторические очерки/под ред. Р. Г. Пихоя. – М.: Изд-во РАГС, 2009. С. 33–34.
[Закрыть]
Много вопросов вызывает проблема становления отечественной полупроводниковой электроники.
О том, когда тема полупроводников удостоилась внимания советского руководства, можно судить по короткой записке знаменитого сталинского наркома и, между прочим, первого руководителя Минсредмаша В. А. Малышева от 13 января 1949 г.:
К записке Малышева прилагается машинописный текст, переведенной на русский язык, статьи из 32-го номера английского журнала Times review industry за 1948 г. В статье излагаются некоторые идеи по поводу перспектив использования германия и кремния в качестве конструктивных материалов для производства надежных и долговечных электронных приборов нового технологического поколения: «Существуют большие возможности получения новых полезных свойств путем управления расположением атомов и электронов, из которых состоят эти твердые тела».
Все директивные документы ЦК КПСС и Совмина СССР о создании научной, опытно-конструкторской и производственной базы полупроводниковой электроники имеют гриф ограничения доступа. Чаще всего в «ветеранской историографии» упоминается постановление № 78/27сс от 24 января 1961 г. «О развитии полупроводниковой техники». Документ не «рассекречен» и не опубликован, но из контрольных цифр 7-летнего (1959–1965 гг.) плана развития народного хозяйства СССР, например, известно, что в электронной промышленности «до 1965 года должно быть закончено строительство и реконструкция 81-го предприятия и запроектировано 119 предприятий».[70]70
РГАЭ. Ф. 378. Оп. 2. Д. 72. Л. 98.
[Закрыть]
Основным катализатором развития отечественной полупроводниковой электроники были военные программы. Так, по словам профессора Ю. Р. Носова, «полупроводниковая инфракрасная техника все эффективнее демонстрировала нашим военным «чудодейственные возможности», необходимые для создания тепловых головок самонаведения зенитных ракет и приборов ночного видения». Этот же автор утверждает: «Подобно тому, как «битву за Британию» (1940) выиграли радары, окончание Вьетнамской войны и Парижский мир (1973) обеспечили тепловизоры: к ним не сумели подобрать противодействие, аналогично тому, как это было сделано в отношении радаров, и американские ВВС начали нести слишком значительные потери».[71]71
Носов Ю. Р. США и новейшая история электроники // США/Канада. 2003. № 9. С. 87–98.
[Закрыть]
Важным аспектом истории становления отечественной полупроводниковой электроники является состояние металлургической базы производства германия и кремния. К сожалению, на эту тему вообще нет никаких опубликованных данных. Отрывочные сведения содержатся в аналитических обзорах ГКНТ СССР. Например, в обзоре «Основные направления технического прогресса народного хозяйства РСФСР на период до 1980 г. Цветная металлургия» от 18 мая 1961 г. сообщается:
«…Из-за отсутствия развития производства редких металлов тормозится внедрение новой техники в ряде важнейших отраслей народного хозяйства (выпуск жаропрочных и легких сплавов, полупроводниковых приборов и других изделий особого назначения)».[72]72
РГАСПИ. Ф. 556. Оп. 21. Д. 369. Л. 71.
[Закрыть]
Очень плохо обстоит дело с источниками по истории становления отечественной микроэлектроники. Между тем, для историографии данная тема является наиважнейшей. Пожалуй, ни одна из отраслей науки, техники и производства, кроме атомной промышленности, не предъявляла Советскому Союзу столь же экономически затратных и жестких технических требований по ее созданию и развитию, как микроэлектроника. На ней же (микроэлектронике) Советский Союз, надо понимать, и запнулся, не найдя необходимых средств и ресурсов для поддержания невероятно высоких темпов научно-технического прогресса и соответствующих капиталовложений.
Все основные директивные документы ЦК КПСС и Совмина СССР по созданию научной и производственной базы микроэлектроники имеют гриф ограничения допуска. Чаще всего в «ветеранской историографии» упоминается постановление № 831–353 сс от 08.08.1962 г. «Об организации Центра микроэлектроники – «Научного центра» (НЦ) и комплекса НИИ и КБ в союзных республиках».
Проект вышеупомянутого документа, по данным Б. М. Малашевича, «был результатом напряженной работы команды единомышленников из аппарата ГКЭТ, ВПК, ЦК КПСС, СМ СССР, специалистов НИИ-35, КБ-2 и других предприятий ГКЭТ».[73]73
Малашевич Б. М. Зеленоградский Центр микроэлектроники: создание, расцвет, закат // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. – 2007. № 1. С. 104–112.
[Закрыть] Курировали подготовку В. Н. Малин (зав. Общего отдела ЦК КПСС), И. Д. Сербин (зав. Оборонного отдела ЦК КПСС) и Л. В. Смирнов (Председатель Военно-промышленной комиссии).
Первые научные статьи о микроэлектронике, как новом направлении науки и техники появляются в советских газетах и журналах в 1961 г. О производстве в них практически ничего не говорится. В 1971 г. в № 4 журнала «Радио» публикуется статья М. Лихачева (заместитель председателя научно-технического совета Минэлектропрома) «Шаги советской электроники». В ней впервые сообщаются сведения о технологических нормах и процессах, применяемых на предприятиях отечественной микроэлектроники:
«Когда речь идет о микроэлектронике, трудно бывает найти различие между наукой и производством. Даже внешне производственные цехи, где изготавливаются полупроводниковые приборы, сходны с научными лабораториями. Микроэлектроника является особым направлением электронной промышленности. На наших предприятиях массового производства сейчас изготавливаются детали размером 5–100 микрон с точностью 1–2 микрона, а толщина отдельных структурных элементов подчас не превышает 0,1 микрона. При их изготовлении используются уникальная оптика, точнейшие механизмы перемещения, новейшие достижения в области прецизионной фотографии, с высокой точностью регулируемые высокотемпературные физико-химические процессы, химические реакции и фотохимические явления. Применяются десятки сверхчистых веществ, содержащих примеси не более одной части на 10–100 миллионов частей основного материала, сложная измерительная аппаратура, управляемая электронными вычислительными машинами. При производстве интегральных схем, например, проводится более 200 технологических операций. Чистота воздуха в цехах должна быть такой, чтобы в нем на один литр было не более одной-двух пылинок размером менее половины микрона».
На официальном сайте префектуры Зеленоградского Административного округа сообщается, что «датой рождения Зеленограда считается 3 марта 1958 г. Тогда было принято постановление Совмина СССР № 248 о строительстве под Москвой в районе станции Крюково города-спутника. В 1962 г. строящийся город был передан в ведение Государственного Комитета по электронной технике (ГКЭТ)». На самом деле это произошло годом раньше. Согласно постановлению ЦК КПСС и Совмина СССР от 1 августа 1961 г. № 695–292 сс «ГКЭТ разрешено построить в Крюково опытно-показательный завод НИИРТ-282».[74]74
РГАЭ. Ф. 378. Оп. 2. Д. 72. Л. 37.
[Закрыть]
В 1980-е годы сообщения о Зеленограде стали появляться на страницах американских журналов «Defence Electronics”, “Electronics Weekly” и “Bell System Technical Journal”. В них, в частности, констатируется неуклонное сокращение технологического разрыва между американской и советской электронной промышленностью, который в 1970-е годы, по мнению американских специалистов, составлял не менее 10 лет.
17 октября 2008 г. вышло распоряжение префекта Зеленоградского АО г. Москвы № 867–рп «О концепции создания территории инновационного развития в Зеленоградском административном округе города Москвы». В Приложении № 1 документа, в частности, сообщается:
«Пятьдесят лет назад для решения важнейшей государственной задачи – создания и развития электронной отрасли – было начато строительство Зеленограда, при этом он задумывался как центр микроэлектроники и электроники СССР. В период с середины 60-х до начала 80-х годов прошлого столетия в Зеленограде был создан уникальный территориальный научно-производственный комплекс (НПК), деятельность которого была направлена в основном на создание микросхем различного назначения и аппаратуры на их основе. В его состав вошли научно-производственные объединения, включающие научно-исследовательский институт и опытный завод. В рамках НПК обеспечивался замкнутый технологический цикл, начиная от прикладных исследований и заканчивая серийным производством изделий в основном оборонного назначения.
Для подготовки высококвалифицированных кадров был основан Московский институт электронной техники (МИЭТ). Выпускающие кафедры института и лаборатории научно-исследовательских институтов работали в тесном контакте, выполняли поисковые разработки. Полученные технологические решения НИИ передавали для освоения на опытные заводы. С целью обеспечения высококвалифицированным кадровым потенциалом предприятиям было также дано право принимать на работу специалистов из других регионов страны с предоставлением им жилой площади. Это позволило сконцентрировать в Зеленограде значительное количество молодых, талантливых, амбициозных специалистов.
К середине 80-х годов НПК сложился, он в полной мере обеспечивал современной элементной базой и аппаратурой на ее основе все возрастающие потребности народного хозяйства страны. Фактически была сформирована непрерывная замкнутая система создания и производства продукции (преимущественно оборонного назначения) на уровне мировых стандартов. ‹…› Системы вооружений, созданные с использованием изделий микроэлектроники Зеленограда, стали одними из лучших в мире и обеспечили высокий уровень обороноспособности страны. Зеленоград как центр микроэлектронной индустрии во многом определил устойчивость развития электронной отрасли страны в целом».
После выхода в США книги Стивена Юдсена о том, как два американца (Старос и Берг) основали The Soviet Silicon Valley (Советскую Кремниевую Долину), разразился скандал. Ветераны электропрома с возмущением писали о том, что американско-советский инженер Филипп Георгиевич Старос и его коллега Иосиф Берг к передаче СССР американских субмикронных технологий вообще не причастны. Они переехали в Ленинград на работу в лабораторию СЛ-11 (затем КБ-2) в 1956 г. Первая же интегральная схема была изобретена Джеком Килби и Робертом Нойсом в 1958–59 гг., то есть о разработках американских ученых из Texas Instrument и Fairchild Semicondactor они не могли ничего знать. Якобы, учитывая их туманное иностранное происхождение, командование ВМФ, по согласованию с компетентными органами, ограничивалось заказом разработок, не требующим выдачи в качестве исходных данных наиболее важных сведений о современном боевом оружии и электронной оснастке военных кораблей.
Никто из ветеранов электропрома не отрицает, что Филипп Старос (настоящие имя и фамилия Альфред Сарант) – яркая и незаурядная личность, и что он многого достиг в решении проблемы минитюаризации электронной и вычислительной техники, но в качестве заместителя директора Научного Центра ничем себя особенно не проявил.
В интервью редактору журнала «Информационное общество» Татьяне Ершовой И. Н. Букреев (бывший заведующий сектором электронной промышленности ЦК КПСС) раскрыл, полагая, что об этом уже можно говорить, некоторые неизвестные подробности его удивительной биографии:
«Старос был приятелем четы Розенбергов, казненных в США за выдачу атомных секретов СССР. Вот в тот драматический момент он и бежал. В Чехословакии он встретился с Бергом, который стал на многие годы его помощником. Старос сам физик и прекрасный математик, вообще многогранный ученый и хороший инженер. Он всегда тяготел к электронике. В Чехословакии он занимался приборами, для зенитной артиллерии. Старос владел несколькими иностранными языками, увлекался музыкой, сам играл на различных музыкальных инструментах.
По договоренности советского правительства с чехословацким, Староса и Берга перевели в Ленинград, где им дали возможность организовать конструкторское бюро по разработке приборов для авиации. Это было небольшое КБ с очень сильным составом инженеров. Старосу и Бергу в Ленинграде создали очень хорошие условия. Они получили комфортабельные квартиры, им зачли их дипломы об образовании. Впоследствии Старос стал доктором технических наук, лауреатом Государственной премии. Его приняли в партию прямо на Политбюро ЦК КПСС одновременно с космонавтом Германом Титовым, который в это время был на орбите».[75]75
Информационное общество. – 2009. Вып. 3. С. 11–20.
[Закрыть]
Из опубликованных произведений, относящихся к категории «ветеранской историографии», особого внимания заслуживают статьи бывшего начальника Отдела интегральных схем НИИ-35 Б. В. Малина (сын заведующего Общим отделом ЦК КПСС В. Н. Малина). В 1961–62 гг. Б. В. Малин проходил стажировку в США, составлял технические предложения по развитию полупроводникового машиностроения, в частности, по термическим процессам и фотолитографии и для закупок технологического оборудования по импорту. Научные разработки кандидата технических наук Малина зафиксированы и подтверждаются рядом научно-технологических отчётов НИИ-35, авторскими свидетельствами, рядом статей, опубликованных в сборниках «Полупроводниковые приборы и их применение» (М.,1970), и «Микроэлектроника» (М.,1974).
По мнению Б. В. Малина, ключевая проблема отечественной микроэлектроники – недооценка перспективных технологий изготовления интегральных схем на кремнии, которые требовали серьезных затрат на создание уникального оборудования и строительство комплекса «чистых» производственных помещений. Ему же принадлежат откровенные признания о глубоко укоренившемся в практике отечественного электронного инжиниринга «вирусе передира».[76]76
Малин Б. Создание первой отечественной микросхемы// История науки и техники. 2002. № 5.
[Закрыть] Под этим термином подразумевается нежелание руководства Минэлектропрома заниматься собственными разработками интегральных схем и микропроцессоров, а стремление pour rien (по-русски, «на халяву») заимствовать лучшие образцы продукции конкурирующих между собой западных фирм.
Согласно справочнику Б. Л. Перельмана и В. В. Шевелева «Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги» (М.: НТЦ Микротех, 1998), из 3 тыс. моделей выпускавшихся в СССР в 1970–1980-е гг. интегральных схем и микропроцессоров 90 % имели топологическое сходство с зарубежными образцами.
Есть также основания подозревать, что первые серии отечественных интегральных схем на кремнии изготавливались на производственной линейке, завезенной в СССР нелегальным способом. На это, например, прозрачно намекает в своей монографии Сергей Чертопруд.[77]77
См.: Чертопруд С. В. Научно-техническая разведка от Ленина до Горбачева. – М.: Олма-Пресс, 2002.
[Закрыть] Однако при всем уважении к «героям невидимого фронта», следует заметить, что без собственного технологического задела и приобретенного производственного опыта никакое высокотехнологичное изделие невозможно в одночасье скопировать, даже при наличии полной технической документации и самого совершенного оборудования. Сказки о решающем значении «украденных секретов» – старый, проверенный пиар спецслужб, которые склонны приписывать себе важную роль в вопросах, о которых зачастую не имеют никакого понятия.
Об отношении советских специалистов к достижениям зарубежной электронной индустрии можно судить по отчетам делегаций Минэлектропрома и Мирадиопрома, посещавших в 1960-е годы международные выставки радиоэлектронных компонентов и вычислительной техники в Лондоне и Вашингтоне.
Любопытно, что в отчетах делегаций за 1961–1964 гг. о научно-техническом отставании электронной промышленности СССР не идет и речи, общий тон авторов отчетов оптимистичен. Так, в «Отчете…» от «___» мая 1964 г. руководителя советской делегации И. Н. Букреева отмечается:
«У англичан пленочная микросхема создается, как и твердая микросхема, с помощью масок из фторрезиста и травлением. В силу этого получаемая схема имеет практически не более 3–4 слоев. ‹…› От технологии, развиваемой в СССР, английская технология создания пленочных схем отличается существенным образом. В настоящее время в Советском Союзе развивается вакуумное напыление тонких пленок через прецизионные маски. Этот способ позволяет вести однородный технологический процесс, создавая микросхему в едином производственном цикле. Возможность вести весь технологический процесс под колпаком вакуумной установки, создает предпосылку широкой автоматизации процесса создания микросхем…»[78]78
РГАЭ. Ф. 378. Оп. 2. Д. 376.
[Закрыть]
В отчетах за 1965–1969 гг. уже констатируется «отставание отечественной промышленности от зарубежного уровня в части:
1) измерительного и испытательного оборудования;
2) запоминающих устройств на магнитных материалах и МОП-структурах;
3) разработки и выпуска больших интегральных схем;
4) оптоэлектронным приборам;
5) технологического оборудования и приспособлений для производства различных компонентов и приборов».[79]79
РГАЭ. Ф. 23. Оп. 1. Д. 950. Л. 10–11.
[Закрыть]
Меняется тональность авторов отчетов. В частности, они жалуются на то, что при формировании делегаций не соблюдается принцип преемственности, что сразу после закрытия выставки члены делегации отправляются домой, и им не дают даже 2–3 дней для завершения переговоров с зарубежными фирмами и «реализации завязавшихся контактов».[80]80
РГАЭ. Ф. 23. Оп. 1. Д. 950. Л. 12.
[Закрыть]
Среди многих причин отставания СССР в области электронной промышленности некоторые авторы, например, А. А. Шокин, называют затеянную Н. С. Хрущевым в 1958 г. реформу управления экономикой, в результате которой отраслевая наука была искусственно оторвана от производственной базы.
Документальные материалы, относящиеся к деятельности совнархозов по управлению вверенным им серийным предприятиям электронной промышленности, содержатся в доступных для изучения коллекциях документов РГАЭ, РГАСПИ и РГАНИ. Большой интерес представляют служебные записки секретарей обкомов и руководителей первичных партийных организаций предприятий электронной отрасли в ЦК КПСС и Совмин СССР. Исследователи могут извлечь из них следующие сведения:
1. Затягивание сроков строительства, реконструкции и пуско-наладочных работ даже на самых важных объектах радиоэлектроники;
2. Недостаточное финансирование, либо превышение утвержденных смет капитального строительства предприятий и институтов;
3. Низкий уровень производственной и технологической дисциплины и низкое качество не только гражданской, но и военной продукции;
4. Диспропорции в планировании производства серийных изделий по элементам ЭКБ и отдельным видам химически чистых веществ и материалов.
5. Систематическое недовыполнение планов освоения производства технологического оборудования и новой продукции.
Среди документальных материалов, относящихся к деятельности ГКРЭ СССР, имеются отчеты и служебные записки по вопросам научно-технического сотрудничества Советского Союза со странами СЭВ. В настоящее время доступны протоколы Постоянной комиссии СЭВ по радиотехнической и электронной промышленности. Из документов видно, что главными партнерами СССР в проведении НИР и ОКР по полупроводниковым приборам являлись ГДР и Чехословакия, однако совместного научно-исследовательского центра по электронике (подобного Международному институту ядерных исследований в Дубне), по непонятным причинам организовать не удалось. По техническому плану на 1965–1967 гг. намечалось создание «мощного кремниевого транзистора по планарной технологии», однако вскоре тему изменили, и она стала называться «Разработка кремниевого транзистора для выходных каскадов строчной разверстки телевизионных приемников».[81]81
РГАЭ. Ф. 51. Оп. 3. Д. 1137. Л. 8.
[Закрыть]
Первую, опубликованную в нашей стране, исследовательскую работу об организации и особенностях производственного и технологического процесса в микроэлектронной промышленности СССР на примере завода «Ангстрем» провел диссидент советской эпохи Владимир Кортесов. Его статья под названием «Интервью с рабочим завода по производству электронных микросхем» вышла в 1988 г. в первом выпуске сборника Института народнохозяйственного прогнозирования АН СССР (ныне – ИНП РАН) «Производственные интервью».
Хотя основная тема статьи – трудовые конфликты – в ней сообщаются интересные факты, например, о составе производственного оборудования, условиях труда, технике безопасности, случаях отравлений производственного персонала вредными для здоровья химическими соединениями: водорода с мышьяком (арсин) и водорода с фосфором (фосфин).
Автор сообщает: 1) о непрерывном увеличении темпов роста производства микросхем («в 1983 году наш завод отчитался в росте производства приблизительно в 1,5 раза, а цех – почти в 2 раза за год»), 2) о расширении их ассортимента и 3) увеличении степени интеграции «элементов на кристалле». По его мнению, «переломным для нашего производства был 1983 год. В этом году динамика выхода годных кристаллов и динамики показателя валовой продукции резко разошлись. Число кристаллов, произведенных в 1983–1984 годах, очевидно, упало. О дальнейшей динамике мне судить трудно».
Тот же автор выдает интересные подробности о характере трудовых отношений, сложившихся в микроэлектронной промышленности в период, который поздняя советская историография характеризует термином «застой»:
«Наиболее высокая заработная плата у нас была в последние два-три года до смерти Л. И. Брежнева. Эти же годы были, пожалуй, наиболее благоприятными и в производственном отношении, если судить по динамике роста выпуска продукции, качеству продукции и т. п.
Политику, которая тогда проводилась, можно назвать политикой невмешательства во внутренние дела заводов. Администрация предприятий договаривалась с рабочими по сути дела полюбовно, и чаще всего она имела возможность договориться с рабочими за счет разного рода переплат, послаблений и т. п. Такого рода инфляционная политика, в общем, была стимулирующей для производства в том смысле, что она позволяла избегать обострения отношений между рабочими и администрацией.
В конце концов, эти деньги рабочие как-то отрабатывали, потому что под рост зарплаты администрация требовала рост выработки, и эта выработка быстро росла. Возникавшие тогда конфликты тоже были связаны с вопросом стабильности расценок, то есть расценки снижались и раньше. Но все-таки эти снижения расценок не были такими резкими, и в тех случаях, когда рабочие особенно упорно сопротивлялись, администрация нередко шла на уступки. Последующие события очень сильно нарушили сложившуюся систему отношений между рабочими и администрацией, разрушили существовавшую между ними систему относительного доверия».
Некоторые исследователи считают, что перелом в развитии отечественной электроники наступил в 1978 г., когда советское руководство отказалось от стратегии опережающего роста высокотехнологичных отраслей в пользу экспортоориентированного сырьевого сектора экономики. Вот, что об этом пишет А. А. Шокин:
«Многие в правительстве, а тем более в ЦК считали, что затраты в таких размерах на электронную промышленность нецелесообразны, к тому же запросы МЭПа «явно завышены», так что: «Надо не ходить с просьбами, а лучше работать». ‹…› Предпочитали деньги в буквальном смысле слова закапывать в землю – на мелиорацию земель, эффективность которой была довольно сомнительной, в 1976 – 1980 годах было выделено 38,6 миллиардов рублей. А главное, приближалась Олимпиада-80 (!), нужно было строить олимпийские объекты, что особенно волновало руководство Москвы. И финансовые ресурсы, и строительные мощности города в понимании власть предержащих нужно было сконцентрировать на этом «важнейшем» мероприятии, а Зеленоград мог и подождать».[82]82
Шокин А. А. Министр невероятной промышленности СССР. – М.: Техносфера, 2007. С. 413.
[Закрыть]
Тот же автор констатирует, что объем капитальных вложений в электронику США в 1970–1980-е гг. превосходил советские показатели примерно в четыре раза, японский же уровень был выше в шесть раз, а по микроэлектронике – почти в восемь раз. Это еще можно понять, так как и выпуск советской промышленности был примерно во столько же раз меньше, но затраты на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (НИОКР) в СССР шли по той же номенклатуре изделий и, казалось бы, что для соответствия современным достижениям науки скупиться на них нельзя. Однако на самом деле финансирование отраслевой науки Минэлектропрома (включая затраты на НИОКР по оборудованию и материалам) было в семь-восемь раза меньше, чем в США. Соответственно и наукоемкость (отношение затрат на НИОКР к стоимости товарной продукции) была в два раза ниже, чем в США.
Авторы книги «Очерки истории российской электроники…» под редакцией Б. М. Малашевича приводят достаточно убедительные факты, свидетельствующие о том, что к началу перестройки в СССР была создана мощная компьютерная инфраструктура, развитию которой уделялось повышенное внимание со стороны руководства страны. Разработкой и производством ЭВМ и программного обеспечения занимались три министерства (Минэлектропром, Минрадиопром и Минприборостроения), а также ряд институтов АН СССР. Кроме того, были задействованы ресурсы стран СЭВ – они создавали почти весь спектр периферийных устройств.
Самым «слабым звеном» этой инфраструктуры были микропроцессоры, которые не просто запаздывали (на 10 лет), по сравнению американо-японскими, но и не дотягивали до них по техническим параметрам. Соответственно, электронные платы, собранные по американским топологиям, но с отечественными компонентами, оказывались неработоспособными. Приходилось разрабатывать собственные решения по адаптации аппаратного и программного обеспечения. Технологический разрыв увеличивался, и настал момент (1985 год), когда предприятия Минэлектропрома уже просто не смогли воспроизвести аналог микропроцессора «Intel 286».[83]83
Очерки истории российской электроники. Выпуск 4. К 50–летию электронной промышленности. – М.: Техносфера, 2011. С. 595.
[Закрыть]
Внимание! Это не конец книги.
Если начало книги вам понравилось, то полную версию можно приобрести у нашего партнёра - распространителя легального контента. Поддержите автора!Правообладателям!
Данное произведение размещено по согласованию с ООО "ЛитРес" (20% исходного текста). Если размещение книги нарушает чьи-либо права, то сообщите об этом.Читателям!
Оплатили, но не знаете что делать дальше?
